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公开(公告)号：CN106528484A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610962542.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F13/42
CPC classification number: G06F13/4286
Abstract: 本发明涉及一种串行通信方法，主设备和从设备之间只有一根数据信号线，主设备发出探测信号，从设备回复确认信号，主设备在收到确认信号后，优先决定是否获得总线所有权向所述从设备发送数据；当主设备没有获取总线所有权时，从设备获得总线所有权向主设备发送数据。本发明可在一根信号线上完成双向传输。
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公开(公告)号：CN101216528A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032651.3
申请日：2008-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系统，属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响，真正的实现了芯片的探针台在片测试，免除了封装以及外部散热系统的安装。脉冲调制和脉冲产生装置利用了晶体管的开关特性来调制脉冲信号作为微波功率放大器的偏置。用直流脉冲信号连接在晶体管的栅极作为其栅极电压以控制晶体管沟道的开启和关闭，当脉冲信号的正压加载时，晶体管的沟道建立，连接在晶体管漏极的电流源就会通过沟道，施加电流在源极的负载上；当脉冲信号的零压加载时，晶体管的沟道就被截止，电流源就会无法通过沟道到达源级，负载上无电流通过。
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公开(公告)号：CN101216528B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810032651.3
申请日：2008-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系统，属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响，真正的实现了芯片的探针台在片测试，免除了封装以及外部散热系统的安装。脉冲调制和脉冲产生装置利用了晶体管的开关特性来调制脉冲信号作为微波功率放大器的偏置。用直流脉冲信号连接在晶体管的栅极作为其栅极电压以控制晶体管沟道的开启和关闭，当脉冲信号的正压加载时，晶体管的沟道建立，连接在晶体管漏极的电流源就会通过沟道，施加电流在源极的负载上；当脉冲信号的零压加载时，晶体管的沟道就被截止，电流源就会无法通过沟道到达源级，负载上无电流通过。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118275945A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410421834.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00 , G01R33/035 , G01R33/04 , G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种主动磁补偿系统、方法以及磁场采集装置，包括：第一屏蔽线圈组、第二屏蔽线圈组、三轴磁探测器及补偿模块；第一屏蔽线圈组，包括3对磁轴方向相互垂直的第一屏蔽线圈；3对第一屏蔽线圈绕设于磁屏蔽室的外部；第二屏蔽线圈组，包括3对磁轴方向相互垂直的第二屏蔽线圈，且各第二屏蔽线圈与各第一屏蔽线圈一一对应设置；三轴磁探测器检测第二屏蔽线圈组的体心磁场并输出至补偿模块；补偿模块基于三轴磁探测器的输出信号得到补偿信号，并分别输出至第一屏蔽线圈组以及第二屏蔽线圈组以同时产生补偿磁场，进而使得磁屏蔽室的体心磁场最小。本发明通过采集并补偿第二屏蔽线圈组的体心磁场，保证磁屏蔽室的体心磁场的波动抑制最小。
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公开(公告)号：CN117930093A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097070.7
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器，包括：采集同一时刻下的待测磁场的第一轴方向、第二轴方向以及第三轴方向的磁场信号，以及，各轴方向上的振动信号；基于各轴方向上的磁场信号以及对应的振动信号计算得到各轴方向上的磁场信号与对应的振动信号之间的相关函数；基于各轴方向的振动信号以及相关函数对对应轴方向上的磁场信号补偿，进而得到降噪后的磁场信号。本发明通过振动信号以及磁场信号之间的关联性，从而将磁场信号中由于振动产生的噪声做针对性的去除，提高了磁场矢量传感器的抗低频振动能力，进一步提升磁场探测器的性能。
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公开(公告)号：CN106342393B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510001358.7
申请日：2005-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高毫米波单片功率放大器的稳定性结构及设计方法，属于毫米波单片集成电路的技术领域。应用本发明技术设计的毫米波单片功率放大器具有栅压串联电阻馈电网络和电阻电容串联后与旁路电容并联的漏压馈电网络。该栅压串联电阻馈电网络包含旁路电路、串联电阻和接近于工作频率四分之一波长的高阻线，旁路电容在直流电源接入处，串联的直流电阻靠近信号通路。该漏压馈电网络包含旁路电容、并联电阻和并联电容，电阻与电容串联后与旁路电容并联。
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公开(公告)号：CN119270160A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411452666.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件读出电路、读出方法及测量系统，其中超导量子干涉器件读出电路包括：放大模块、积分运算模块以及温漂抑制模块；放大模块将检测信号低噪声放大处理并输出级间放大信号；温漂抑制模块将放大模块升温至预设温度并基于温度信号得到补偿电压信号；积分运算模块基于补偿电压信号对级间放大信号进行温漂抑制，并输出读出信号。本发明通过在超导量子干涉器件读出电路中实时抑制温漂，避免最终输出的读出信号包含温漂电压导致温漂电压输入到反馈回路，导致的电路不稳定性以及读取不准确等问题。
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公开(公告)号：CN2849734Y
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200520045600.6
申请日：2005-10-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种微波芯片测试装置，包括中间设有缺口的环型介质衬底，衬底的上表面附着有输入输出信号线、直流馈电线和调配块，介质衬底为，中间缺口处设有外层镀金的金属垫块，被测芯片附着在金属垫块的上表面，直流馈电线上固接有贴片电容，直流馈电线的一端通过跳线与MIM电容的上电极相连，再经上电极连接到被测芯片的直流馈点。本实用新型不仅消除了直流探针对微波芯片测试结果的影响，而且通过在信号的输入输出端设置调配块，在测试的微波芯片的性能同时，可调谐微波芯片的性能达到所需要的频响，可以广泛适用于各种微波芯片的测试需要。
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