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发明公开
一种半导体相变存储器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119697999A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411735402.6

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 , 刘瑾 , 宋志棠

IPC: H10B63/10 , H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体相变存储器及其制备方法，包括逻辑电路(201)、底部电极(202)、第一介质层(203)、第二介质层(204)、加热电极(205)、阻挡层(206)、第三介质层(207)、硫系化合物材料层(208)、硬掩模层(209)、第四介质层(210)和第五介质层(211)、顶电极、接触电极；所述加热电极(205)为通过减少半导体相变存储器电极尺寸的方法制得的目标尺寸电极。本发明通过减小加热电极(205)与硫系化合物材料层(208)的接触面积，有效的降低了半导体相变存储器功耗。

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