基于H+敏感的Ta2O5材料EIS结构、制备和pH在线检测方法

    公开(公告)号:CN102338767A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110137353.2

    申请日:2011-05-25

    Abstract: 本发明涉及一种H+敏感的Ta2O5材料EIS结构、制备和pH在线检测方法,其特征在于所述的EIS结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成;其中H+敏感材料层为Ta2O5,绝缘体层为SiO2,半导体层为双面抛光P-Si,导电层为金属Al。所述EIS结构式用MEMS工艺制作,使用EIS结构进行pH在线检测方法是以插入敏感层中的商用Ag/AgCl电极作为参比电极,EIS结构另一面的Al层作为工作电极,基于阻抗谱和测试不同pH下相同扫描条件下的电容-电压曲线,找到合适的电容值,从而得到pH-V的对应关系,直接检测电压值即可进侧出pH值。利用本发明提供的EIS结构,制作的pH传感器体积小,便于携带,并可长时间进行pH在线检测。

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