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公开(公告)号：CN103094478A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310020439.6
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L47/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件，其包括：源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层，其中：单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间，所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直，所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触；所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定，与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关，且该分子器件体积小，性能高，可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。
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公开(公告)号：CN1800799B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200510095556.4
申请日：2005-11-18
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明涉及纳米制备、纳米加工和纳米器件的应用技术领域，特别涉及宽量程纳米真空规及其制备方法。该真空规是由纳米探针和导电电极构筑的纳米尺度隧道结构成，所述纳米探针是尖端曲率半径小于5纳米的氧化锌棒状单晶纳米探针，它的尾端通过金属电极定位沉积固定在氧化硅薄膜/硅基片或氮化硅薄膜/硅基片上，在该基片上还定位沉积有另一碳膜电极，纳米探针的针尖指向碳膜电极，针尖尖端与碳膜电极保持在未电学连接状态，且距离小于5纳米。其制备过程中利用常规的MEMS工艺，选用纳米探针结构和纳米隧道结这种非接触式的器件架构，恰当的选定加工处理工艺控制参数达到优化值，使真空规工作于电子隧穿模式，整个过程参数控制方便，加工工艺成熟，可靠性高。
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公开(公告)号：CN100434937C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610161333.8
申请日：2006-12-18
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明掺杂稳定化氧化锆的耐高温光学膜及其制备方法，特征是采用磁控反应溅射仪或自由基辅助溅射仪，由Y与Zr按摩尔比为14-50∶100或由Al与Zr按摩尔比为3.5-9∶10组成的混合靶材作为溅射源；所得到的由稳定化的氧化锆高折射率层和非晶SiO2低折射率层交替堆叠而成的多层膜，其中稳定化的氧化锆是掺Y2O3或Al2O3作稳定剂的ZrO2；若掺杂的是Y2O3，则Y2O3与ZrO2的摩尔比为7-25∶100；若掺杂的是Al2O3，则Al2O3和ZrO2的摩尔比为1.7-4.5∶10。该多层膜可用作光学薄膜滤波片、灯泡外层滤红外光的薄膜或在500-1000℃高温下进行光学测量用的薄膜器件。
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公开(公告)号：CN1274010C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200310106004.X
申请日：2003-10-08
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 10纳米级间隔的电极的制备方法是一种纳米器件的加工方法，其制备方法为：(1)先用电子束曝光法制备金属电极，将上述制备的金属电极表面去除有机物，此电极的间隔为50-300纳米；(2)将5～50纳米的金颗粒制成金颗粒悬浮液；(3)将步骤(2)制备的悬浮液用水稀释到颗粒浓度为1012～1014个/立方厘米，取出稀释后的悬浮液，滴在步骤(1)制备的金属电极表面；在该电极两端施加一个交流电压，然后用不活泼气体将表面吹干；(4)将步骤(3)处理得到的电极低温退火处理；本发明是一种工艺简单，参数更容易控制加工方法，而且这样制备的纳米电极非常稳定，外貌不容易发生改变，更适合用于工业使用。
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公开(公告)号：CN1188844C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03131568.2
申请日：2003-05-27
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 高密度信息存储光盘及其读取方法是一种用于高密度信息存储的光盘及其读取装置。高密度信息存储光盘，由基片103、信息记录层102、封装层101所组成，在基片的上面为信息记录层，在信息记录层的上面为封装层，其特征在于信息记录层中的每个记录点21由两种或两种以上的不同发光特性的记录介质22混合而成，每一种记录介质表示一个多位二进制数中的某一位，利用n种记录介质可使每一个记录点代表n位二进制的数。读取方法是用聚焦式短波长激发光源301照射记录点；用覆盖有不同波长滤波片302的光电转换CCD阵列303按特征波长大小的顺序编制数据位，接收由记录点发回的不同波长的光，经过光电转换将各种不同波长的光信号转换为对应的“0”或“1”电信号，从而使一个信息记录点上由n种记录介质记录的n个比特的数据读取出来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1483851A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02138320.0
申请日：2002-09-20
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明在汽相中制备自组装单分子膜的方法及汽相组装仪，特征是将新鲜的基片放入由带真空阀的管道连接的两个真空室构成的汽相组装仪中之可抽真空的真空室中，封闭后抽真空；移取待组装的物质至组装仪中之另一个真空室中；将连接两个真空室的真空阀打开一段时间后关闭阀门，即在基片上获得产物；所述基片是新鲜制备的金属膜，包括Au、Ag、Pt、Cu，或者这几种金属单晶或硅片；待组装分子包括硫醇和硅烷。本发明汽相法及其装置使单分子膜的自组装制备过程简便、易行、干净、快捷，克服了现有在溶液中制备单分子自组装膜的很多繁琐过程，大大缩短了成膜时间，减少了污染；可适应工业化大规模生产的需要。
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公开(公告)号：CN1092716C
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN97107221.3
申请日：1997-12-04
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种锑(Sb)诱导C60薄膜生长方法及C60薄膜。本发明方法是在常规的C60薄膜生长方法中引入表面活性剂锑(Sb)。采用本发明方法生长出的C60薄膜可以为分形晶体、枝晶或单晶构成的多晶膜，也可以为[111]取向的单晶薄膜。本发明能在普通真空设备中使C60薄膜内生长出C60分形晶体、枝晶和单晶，也能生长出[111]取向的单晶薄膜。本发明方法生长出的C60晶体尺寸大，质量好。本方法制备出的薄膜样品，衬底容易去掉，从而实现薄膜与衬底的有效分离。
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公开(公告)号：CN119455937A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503496.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 中海石油气电集团有限责任公司 , 中国科学技术大学
Abstract: 本发明涉及材料化学和催化技术领域，尤其涉及等离激元催化剂薄膜催化剂及其制备方法和应用。所述等离激元催化剂薄膜催化剂的制备方法包括：S1：在薄膜基底上负载第一金属的等离激元纳米颗粒，得到第一金属的等离激元薄膜；S2：采用原子层沉积技术在所述第一金属等离激元薄膜上构筑第二金属的催化位点，得到第一金属‑第二金属等离激元纳米薄膜催化剂。本发明通过采用原子层沉积技术在等离激元薄膜上构筑金属催化位点，不仅可以解决使用传统湿化学合成催化剂时位点种类单一，单次收率低，以及表面活性剂残留等问题，灵活调控催化位点的种类和数量。
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公开(公告)号：CN101515651B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910116350.3
申请日：2009-03-16
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01M8/10
Abstract: 本发明涉及一种固体氧化物燃料电池的制备方法，包括以下工艺步骤：将阳极功能层喷雾浆料在载气的带动下喷到衬底上获得阳极功能层生坯；将阳极浆料流延在阳极功能层生坯上，干燥后褪去衬底，获得功能层-阳极生坯；将用金属氧化物粉体制备的电解质喷雾浆料，在载气的带动下喷到功能层-阳极生坯的功能层上，得三层结构生坯；将制备的三层结构生坯烧结获得阳极半电池；在半电池的电解质层上制备阴极获得燃料电池单电池。本发明工艺简化，得到的阳极微观结构导电相连通反应活化界面面积大，电解质层气密性好并且导电率高，微观上无裂缝和连通气孔而且闭气孔较少，阳极与电解质接触良好无开裂分层。
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公开(公告)号：CN101515651A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910116350.3
申请日：2009-03-16
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01M8/10
Abstract: 本发明涉及一种固体氧化物燃料电池的制备方法，包括以下工艺步骤：将阳极功能层喷雾浆料在载气的带动下喷到衬底上获得阳极功能层生坯；将阳极浆料流延在阳极功能层生坯上，干燥后褪去衬底，获得功能层－阳极生坯；将用金属氧化物粉体制备的电解质喷雾浆料，在载气的带动下喷到功能层－阳极生坯的功能层上，得三层结构生坯；将制备的三层结构生坯烧结获得阳极半电池；在半电池的电解质层上制备阴极获得燃料电池单电池。本发明工艺简化，得到的阳极微观结构导电相连通反应活化界面面积大，电解质层气密性好并且导电率高，微观上无裂缝和连通气孔而且闭气孔较少，阳极与电解质接触良好无开裂分层。
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