一种钙钛矿太阳能电池用Cs3BixIn2-xI9光活性层的制备方法

    公开(公告)号:CN109273604B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201811124837.1

    申请日:2018-09-26

    Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池用Cs3BixIn2‑xI9光活性层的制备方法,属于纳米材料和太阳能电池技术领域。Cs3BixIn2‑xI9光活性层制备方法:Cs3BixIn2‑xI9光活性层通过一步溶液旋涂法制备,将CsI、BiI3及InI3粉末分散在DMF/DMSO混合溶液中形成前驱体溶液,旋涂在玻璃基底上,经过加热退火形成钙钛矿薄膜;以Cs3BixIn2‑xI9为钙钛矿层太阳能电池的制备:配置空穴传输层溶液(70㎎spiro‑MeoTAD,17μl锂盐,28μl4‑叔丁基吡啶,1ml氯苯),将配置好的溶液旋涂在Cs3BixIn2‑xI9钙钛矿表面,静置12小时后,将样品放在蒸银真空镀膜仪中,蒸镀一层60nm的银电极;蒸镀完成后,用丁内酯将光阳极擦出即可获得钙钛矿太阳能电池。优点:本发明的钙钛矿太阳能电池具有极强的稳定性,成本低廉,制备工艺简单,环境友好,能进行大规模生产。

    一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714973B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310731417.0

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒和直径范围在250~350纳米的Cu2SnSe3纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4和Cu2SnSe3纳米颗粒分别机械搅拌和超声处理,并溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~1h得到介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3作为光电化学太阳能电池的光阴极,其比表面积大,催化和导电性能俱佳,生产成本低;采用该方法制备的电池光电转换效率可以与基于传统的Pt对电极的电池相当,适合光电化学太阳能电池的产业化生产。

    一种钙钛矿太阳能电池用Cs3BixIn2-xI9光活性层的制备方法

    公开(公告)号:CN109273604A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811124837.1

    申请日:2018-09-26

    Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池用Cs3BixIn2-xI9光活性层的制备方法,属于纳米材料和太阳能电池技术领域。Cs3BixIn2-xI9光活性层制备方法:Cs3BixIn2-xI9光活性层通过一步溶液旋涂法制备,将CsI、BiI3及InI3粉末分散在DMF/DMSO混合溶液中形成前驱体溶液,旋涂在玻璃基底上,经过加热退火形成钙钛矿薄膜;以Cs3BixIn2-xI9为钙钛矿层太阳能电池的制备:配置空穴传输层溶液(70㎎spiro-MeoTAD,17μl锂盐,28μl4-叔丁基吡啶,1ml氯苯),将配置好的溶液旋涂在Cs3BixIn2-xI9钙钛矿表面,静置12小时后,将样品放在蒸银真空镀膜仪中,蒸镀一层60nm的银电极;蒸镀完成后,用丁内酯将光阳极擦出即可获得钙钛矿太阳能电池。优点:本发明的钙钛矿太阳能电池具有极强的稳定性,成本低廉,制备工艺简单,环境友好,能进行大规模生产。

    一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714976A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310732866.7

    申请日:2013-12-26

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4纳米颗粒溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h即可得到介孔Cu3SnS4对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4作为染料敏化太阳能电池对电极,其比表面积大,催化性能高,生产成本低;该方法制备的电池光电转换效率与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714976B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310732866.7

    申请日:2013-12-26

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4纳米颗粒溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h即可得到介孔Cu3SnS4对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4作为染料敏化太阳能电池对电极,其比表面积大,催化性能高,生产成本低;该方法制备的电池光电转换效率与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714973A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310731417.0

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒和直径范围在250~350纳米的Cu2SnSe3纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4和Cu2SnSe3纳米颗粒分别机械搅拌和超声处理,并溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~1h得到介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3作为光电化学太阳能电池的光阴极,其比表面积大,催化和导电性能俱佳,生产成本低;采用该方法制备的电池光电转换效率可以与基于传统的Pt对电极的电池相当,适合光电化学太阳能电池的产业化生产。

    制备铝合金化结合三氧化二铝复合化二硅化钼材料的方法

    公开(公告)号:CN102517486A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201210002376.7

    申请日:2012-01-06

    Abstract: 一种制备铝合金化结合三氧化二铝复合化二硅化钼材料的方法,属于高温结构材料技术领域。工艺为:将钼粉、硅粉、铝粉和三氧化钼粉,按照15.6~32.8mol%Mo、42.0~65.6mol%Si、1.3~31.8mol%Al、0.3~10.6mol%MoO3的摩尔比例混合均匀,将混合粉末压制成坯体,把坯体放入自制燃烧合成装置中,抽真空排除其中的空气,在保护性气氛或真空环境中点燃混合粉末坯体,发生化学反应合成铝合金化结合三氧化二铝复合化二硅化钼基复合材料。本发明采用燃烧合成技术,通过一步法合成合金化结合复合化二硅化钼基复合材料,其中第二相三氧化二铝和基体属于冶金结合,有利于最终材料性能的提高,并且具有工艺简单、设备简便、省时、节能、成本低、污染少的优点。

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