一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN114411168B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202210078129.9

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 薄膜的可见光响应,得到了更佳的光电化学制氢一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及 性能。其制备方法,属于纳米功能材料领域。步骤:1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌;2)以上述溶液为电解液,电沉积5~15min,可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜;3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中,加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀;4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上;5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1~2h;6)取出样品(56)对比文件Geng, Huimin等.”A novel synergy ofCo/La co-doped porous BiVO4 photoanodeswith enhanced photoelectrochemical solarwater splitting performance“《.JOURNAL OFALLOYS AND COMPOUNDS》.2022,第925卷文献号166667.

    一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN114411168A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210078129.9

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法,属于纳米功能材料领域。步骤:1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌;2)以上述溶液为电解液,电沉积5~15min,可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜;3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中,加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀;4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上;5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1~2h;6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min,清洗、干燥,得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点:钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应,得到了更佳的光电化学制氢性能。

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