公开(公告)号：CN113738341A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111172497.1

申请日：2021-10-08

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 王汉彬 ,  李少华 ,  晋永路 ,  邓伟杰 ,  王文新

IPC: E21B47/00 ,  E21B49/00

Abstract: 本发明公开了一种H桥式多频阵列感应测井仪发射电路，由a、b、c、d四个场效应管组成H桥式驱动电路，由输入电压V+‑V‑为H桥式驱动电路提供功率电压，CPU输出四路逻辑信号AH‑IN、AL‑IN、BH‑IN和BL‑IN，经过栅驱动和控制逻辑保护电路的驱动后，分别向a、b、c、d四个场效应管输出AH、AL、BH、BL信号，分别控制a、b、c、d四个场效应管漏极和源极的开关状态，输出A‑B功率信号。本发明所公开的发射电路，MOSFET场效应管工作在开关状态，具有更小的耗散功率，可以提高发射功率，高温下能够为阵列感应发射线圈提供稳定的输出功率，稳定性高。

公开(公告)号：CN217655670U

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202123104441.0

申请日：2021-12-12

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 晋永路 ,  王文新 ,  李少华 ,  邓伟杰 ,  王汉彬

IPC: G11B33/14 ,  G06F13/42

Abstract: 本实用新型公开了一种超高温测井中的存储装置，包括超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH，超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH之间通过SPI总线通信，采用钨钢作为超高温存储芯片FLASH组成电路的保护钢筒。本实用新型所公开超高温测井中的存储装置，直接采用超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH，配合超高温的其他元件，因为这类超高温芯片是通过特殊工艺生产的，能够适应210℃的超高温环境，使得电路能够直接承受其环境温度，存储测井中实际测试数据，无需采用保温瓶等额外的超高温保护装置，避免超高温保护装置带来的温度累积无法散热隐患，减少因采用超高温保护装置增加的体积，避免采用超高温保护装置所带来的缺点。

公开(公告)号：CN211293288U

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201922316545.4

申请日：2019-12-20

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 杨志强 ,  李智强 ,  邓伟杰 ,  张俊国 ,  王汉彬

IPC: G01V3/10 ,  E21B47/00 ,  E21B49/00

Abstract: 本实用新型公开了一种实验室内交流电测井测量系统，包括交流电电路、地面检测接收装置和交流电测井线圈；其中交流电电路包括发射电路，该发射电路发出的两路信号，一路输入交流电测井线圈，一路输入电流取样单元，交流电测井线圈的感应信号依次经前置放大单元、带通滤波单元、AD转换单元进入数字信号处理单元，电流取样单元的信号依次经带通滤波单元、AD转换单元进入数字信号处理单元，数字信号处理单元通过CAN总线与地面检测接收装置通信、通过发射逻辑单元控制发射电路工作；地面检测接收装置包括CAN总线通讯单元及电源系统。本实用新型公开的测量系统，实验室内交流电测量系统与实际测量系统相比，长度缩短为原来长度的1/8‑1/5，长度的变短增强了仪器的可适应性。