-
公开(公告)号:CN115610044B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211638604.X
申请日:2022-12-20
申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号: B32B15/20 , B32B15/04 , B32B17/04 , B32B17/06 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B38/18 , C04B26/08 , C04B40/02
摘要: 本发明公开了一种低损耗PTFE基微波复合介质基板及制备方法,称取一定质量的两种粒径不同的二氧化硅陶瓷粉、分散剂、偶联剂和PTFE乳液均匀分散混合,静置熟化;采用浸渍方式将熟化完成的浆料均匀涂覆在玻璃纤维布上,经高温烘干收卷裁成基片;将基片按照厚度规格叠成复合介质层;然后复合介质层双面覆铜箔,高温真空压制烧结,制成超低损耗PTFE基微波复合介质基板。采用本方法制成的PTFE基微波复合介质基板的介电损耗小于0.0015、介电常数可控、吸水率小于0.05%、铜箔剥离强度大于1.0N/mm。
-
公开(公告)号:CN115610045B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211638593.5
申请日:2022-12-20
申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号: B32B17/04 , B32B17/06 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/08 , C08L9/00 , C08L23/08 , C08K9/10 , C08K3/36 , C08J5/24
摘要: 本发明公开了一种含核壳结构粉体的低损耗和低吸水率覆铜板制备方法,首先将无机粉体进行表面改性;其次将改性粉体、聚烯烃树脂、中温引发剂和溶剂混合均匀后,采用自由基沉淀聚合制得聚烯烃树脂包覆无机粉体的核壳结构粉体;然后将核壳结构粉体、聚烯烃树脂、阻燃剂、抗氧剂和高温引发剂均匀分散在溶剂中,形成聚烯烃复合胶液;接着将玻璃纤维布匀速浸润聚烯烃复合胶液,经烘干得到半固化片;最后将半固化片叠层,双面覆铜箔进行热压烧结,使聚烯烃树脂发生交联固化,完成最终定形制得低损耗和低吸水率覆铜板。采用本方法制备的覆铜板损耗低于0.0025,吸水率低于0.055%,有助于高频信号的低延迟和低损耗传输。
-
公开(公告)号:CN115610045A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211638593.5
申请日:2022-12-20
申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号: B32B17/04 , B32B17/06 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/08 , C08L9/00 , C08L23/08 , C08K9/10 , C08K3/36 , C08J5/24
摘要: 本发明公开了一种含核壳结构粉体的低损耗和低吸水率覆铜板制备方法,首先将无机粉体进行表面改性;其次将改性粉体、聚烯烃树脂、中温引发剂和溶剂混合均匀后,采用自由基沉淀聚合制得聚烯烃树脂包覆无机粉体的核壳结构粉体;然后将核壳结构粉体、聚烯烃树脂、阻燃剂、抗氧剂和高温引发剂均匀分散在溶剂中,形成聚烯烃复合胶液;接着将玻璃纤维布匀速浸润聚烯烃复合胶液,经烘干得到半固化片;最后将半固化片叠层,双面覆铜箔进行热压烧结,使聚烯烃树脂发生交联固化,完成最终定形制得低损耗和低吸水率覆铜板。采用本方法制备的覆铜板损耗低于0.0025,吸水率低于0.055%,有助于高频信号的低延迟和低损耗传输。
-
公开(公告)号:CN115610044A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211638604.X
申请日:2022-12-20
申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号: B32B15/20 , B32B15/04 , B32B17/04 , B32B17/06 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B38/18 , C04B26/08 , C04B40/02
摘要: 本发明公开了一种低损耗PTFE基微波复合介质基板及制备方法,称取一定质量的两种粒径不同的二氧化硅陶瓷粉、分散剂、偶联剂和PTFE乳液均匀分散混合,静置熟化;采用浸渍方式将熟化完成的浆料均匀涂覆在玻璃纤维布上,经高温烘干收卷裁成基片;将基片按照厚度规格叠成复合介质层;然后复合介质层双面覆铜箔,高温真空压制烧结,制成超低损耗PTFE基微波复合介质基板。采用本方法制成的PTFE基微波复合介质基板的介电损耗小于0.0015、介电常数可控、吸水率小于0.05%、铜箔剥离强度大于1.0N/mm。
-
-
-