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公开(公告)号：CN118795428A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410854381.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十四研究所
Abstract: 本发明涉及相控阵天线领域，具体涉及一种相控阵天线系统级快速标校方法。在进行中场校准时，无需进行中场校准单元的精确位置标定，通过利用测量数据进行相位解缠绕二维展开，并按照模型进行拟合从而实现阵面相位误差估计。技术要点主要是基于中场监测参数的折叠相位面二维展开解缠绕，并进行曲面拟合，实现阵面相位参数估计，无需通过高精度要求的标校单元和阵面位置标定即可实现高精度阵面校准。解决了相控阵雷达中场校准依赖性高、操作难度大的问题，大幅提升相控阵天线标校效率。
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