公开(公告)号：CN111786655B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202010734476.3

申请日：2020-07-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 方修成 ,  王占奎 ,  刘兰坤 ,  刘晓红 ,  陈中平 ,  牛占鲁 ,  孟昭建 ,  李增路 ,  田树蕾 ,  李云霞 ,  闫敏芳 ,  张宁

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。

公开(公告)号：CN112564668A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011540745.9

申请日：2020-12-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 逄杰 ,  孟昭建 ,  王占奎 ,  刘兰坤 ,  徐淑一 ,  牛占鲁 ,  宋学峰 ,  杨晓雷 ,  戴文涛 ,  田树蕾 ,  高畅

IPC: H03H9/19

Abstract: 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。

公开(公告)号：CN112564668B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202011540745.9

申请日：2020-12-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 逄杰 ,  孟昭建 ,  王占奎 ,  刘兰坤 ,  徐淑一 ,  牛占鲁 ,  宋学峰 ,  杨晓雷 ,  戴文涛 ,  田树蕾 ,  高畅

IPC: H03H9/19

Abstract: 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。

公开(公告)号：CN111786655A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010734476.3

申请日：2020-07-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 方修成 ,  王占奎 ,  刘兰坤 ,  刘晓红 ,  陈中平 ,  牛占鲁 ,  孟昭建 ,  李增路 ,  田树蕾 ,  李云霞 ,  闫敏芳 ,  张宁

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。

公开(公告)号：CN214256259U

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202023138591.9

申请日：2020-12-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 逄杰 ,  孟昭建 ,  王占奎 ,  刘兰坤 ,  徐淑一 ,  牛占鲁 ,  宋学峰 ,  杨晓雷 ,  戴文涛 ,  田树蕾 ,  高畅

IPC: H03H9/19

Abstract: 本实用新型提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本实用新型通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。