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公开(公告)号：CN118249794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410320830.6
申请日：2024-03-20
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于复合梁的单刀四掷MEMS开关，属于射频前端器件技术领域。主要结构为输入微带线，渐变匹配结构，中间导通结构，输出微带线，玻璃基衬底，金属电极，梁底座与悬梁共同组成的复合梁，金属地组成。此开关属于欧姆接触式开关，复合梁结构包括二氧化硅材料悬梁和金材料梁底座。各支路开关通过直流电压驱动金属电极，可以控制复合梁的悬停状态与接触渐变匹配结构与输出传输线的贴合状态，分别对应着本路开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段140GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简洁、制造方便，能够通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN117317543A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311318840.8
申请日：2023-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H01P1/10
摘要： 本发明公开了基于共用复合梁的小型太赫兹MEMS单刀四掷开关，属于射频MEMS技术领域。其基于整体梁的单刀四掷开关由微带主馈线、分叉过渡结构、低损耗开关结构和微带输出线组成。MEMS开关由金属‑介质整体复合梁形成高隔离度对称结构，结合鹤形臂与共用折合臂使开关具有极小型化尺寸和低下拉电压，通过底部电极和共用梁金属部分之间电势差产生的静电力吸附，使梁的相应部分下拉，梁上金属触点使相应微带输出线导通；当其中一路MEMS开关线路导通，而其它线路MEMS开关断开时，即完成信号传递。该可重构开关由四个非对称单刀单掷开关单元通过对称紧凑排布而成，在超宽频带内具有高隔离度，在DC‑350GHz频段内通路反射系数小于‑15dB，带内插损小于1.8dB，隔离度大于15dB。
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公开(公告)号：CN118943749A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411155641.4
申请日：2024-08-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于MEMS开关的太赫兹可重构频率选择表面，属于太赫兹无线通信设备领域，主要应用于1～2THz的天线罩。该频率选择表面由MEMS可重构电磁结构单元周期排列而成，其单元为三维结构，从下到上依次为石英衬底、金属双开口谐振环、氮化硅介质层与MEMS金属薄膜；MEMS金属薄膜等效为悬臂梁结构，其锚区与金属双开口谐振环相连接，梁与其下方的氮化硅介质层、矩形贴片形成平行板电容，通过加载偏置电压实现MEMS开关的上下态切换，进而实现频率选择。采用上述基于MEMS薄膜开关的频率选择表面，结构简单、馈电方便，可以在宽频带范围内实现透射频段和反射频段的可重构，主要应用于雷达、太赫兹通信与电子对抗等设备的天线罩中。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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公开(公告)号：CN117996460A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410271618.5
申请日：2024-03-11
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了基于可变电容调谐机制的频率和极化可重构天线阵列，属于射频前端器件领域。其由相同的天线单元组成，天线单元由主辐射贴片、两个弯折短截线、两个可变电容、一个大电阻、一个电感、介质基板、一个SMA连接器、金属地组成。通过施加不同反向电压到可变电容上，从而调谐天线单元的谐振频率和谐振相位，在横向两个单元之间形成90度左右的相位差从而实现圆极化，通过对调左右两侧施加的电压即可方便地切换左旋/右旋圆极化。当左右两侧施加的反向电压相等时，天线为线极化，产生的圆极化轴比。本发明使得天线整体结构更加简单，降低了加工复杂度和成本，其平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN118630439A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410898535.9
申请日：2024-07-05
申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种低应力太赫兹RF MEMS开关，属于射频微机电系统技术领域，包括：背覆金属；衬底；共面波导信号线；共面波导地；下电极；梁锚点；上金属梁锚点；上金属梁，和所述上金属梁锚点通过圆弧相接；上金属电极；信号桥；裙边梁；电极介质层；直流馈电结构；空气桥。本发明达到了技术效果：使用裙边梁结构，开关下拉变形后应力分布均匀，减小开关翘曲变形；梁中通过圆弧相接，无应力集中，具有低驱动电压；圆弧相接增大了相接处长度，减小开关循环造成的断裂风险，提高开关疲劳寿命；采用复合梁结构，使得电极和信号桥分离，减少直流电对射频信号的干扰；开关在太赫兹频段具有较好隔离度和低插入损耗。
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公开(公告)号：CN117080739A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311034395.2
申请日：2023-08-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种Ka波段圆极化天线，属于卫星通信技术领域，其由金属背板、介质层、馈电结构、SIW结构、辐射贴片及寄生贴片构成。通过双端口相位差90°的信号输入和同轴馈电方式，实现Ka波段的圆极化，同时利用特殊缺陷结构来实现天线辐射轴比的高宽度。该天线可以实现26.38GHz‑27.82GHz的圆极化信号输出，低于‑3dB的的天线轴比宽度117°‑152°。
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公开(公告)号：CN116799508A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310924332.8
申请日：2023-07-26
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种双频带圆极化微带天线，属于无线技术领域，本发明天线由金属背板、介质层、馈电结构、金属缝隙层、SIW结构、辐射贴片及寄生贴片构成。通过双端口相位差90°的信号输入和缝隙耦合，实现Ka波段的圆极化，同时利用特征缺陷结构来实现工作波段的双频带圆极化。该天线可以实现27.6GHz‑27.98GHz与28.74GHz‑30.46GHz的圆极化信号输出。
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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC分类号： G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
摘要： 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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