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公开(公告)号：CN117734224A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311720887.7
申请日：2023-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于大尺寸板状晶体生长用原料的压料模具、压制方法及生长晶体的方法，压料模具包括内模和外模；所述内模包括下模和上模，下模的下表面向下隆起并在上表面下凹形成与隆起形状对应的成型模腔；外模包括底座和垫块，底座的上表面向下凹入形成有限位腔，限位腔与下模的下表面隆起相适配以用于容置下模并阻止成型模腔在压制时水平延伸；上模的上表面的中部向下凹入形成有与成型模腔形状相适配的垫块限位沉台，所述垫块的形状与垫块限位沉台相一致；所述上模和下模的材质为具有延展性的柔性材料，所述底座和垫块的材质为硬质合金。本发明能使得压制原料全程保持与坩埚相适配的舟形，并极大程度上降低晶体原料的体积，且压制效果紧实。
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公开(公告)号：CN117601019A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311710463.2
申请日：2023-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种激光晶体毛坯的磨抛夹具及工艺，夹具包括夹具本体，所述夹具本体的上下两面为互相平行的平面；所述夹具本体的中部开设有上下贯通的晶体容置腔，所述晶体容置腔大于晶体毛坯且呈与所述晶体毛坯相适配的船形；所述夹具本体上位于晶体容置腔周围设有若干紧固件用于将放置于晶体容置腔内的晶体毛坯夹持固定于夹具本体上。本发明对该类型的船形激光晶体均适用；并通过可拆卸的紧固件对晶体毛坯进行夹持固定，装拆方便，夹持固定效果好，无需采用上下两大面任一面粘胶的方式来对晶体毛坯进行夹持固定，适用于上机操作，提高了晶体毛坯两大面减薄的工作效率。
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公开(公告)号：CN118906536A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410950804.1
申请日：2024-07-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种坩埚托盘的热压整形方法，将坩埚托盘放置于整形用加热板上；对加热板加热，使坩埚托盘达到整形需要的软化程度；还包括整形块，加热板和整形块之间通过驱动机构连接；操作驱动机构使整形块下压实现对坩埚托盘的整形，整形过程中，加热板用于对坩埚托盘进行定位和支撑；整形块下压对坩埚托盘进行整形的同时利用下压力防止加热板横向滑移。反复下压整形块以对坩埚托盘需要部位进行整形并达到需要的整形效果；整形完毕，关闭加热电源，待坩埚托盘冷却后取出即可。本发明整形操作简单，整个过程只需一人操作，就可以针对坩埚托盘进行整形恢复，提高整形效率的同时也节省了人力。
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公开(公告)号：CN117737827A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410062006.5
申请日：2024-01-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种能够防止炉膛误升降的炉膛安装结构，包括炉膛升降机构、底板和置于在底板上表面的炉膛，炉膛升降机构能够驱动炉膛沿垂直于底板所在平面方向进行移动，底板上设置有与其滑动配合的检测板，检测板在底板上设置有滑动位置点A和滑动位置点B，底板上还设置有感应传感器，当检测板位于滑动位置点A时，炉膛、底板和检测板之间能够通过连接部件固定连接在一起，当检测板位于滑动位置点B时，感应传感器能够感应检测到检测板以输出信号。本发明能够避免人为操作过程中因疏忽导致的炉膛与底板之间未完全拆除连接就对炉膛进行提升而造成的设备损坏，提高了使用的安全性。
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公开(公告)号：CN117737826A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410173182.6
申请日：2024-02-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种水平定向结晶法生长晶体的温场结构及熔区控制方法，温场结构包括炉体，在炉体内设有坩埚和加热器，加热器用于对坩埚中的原料加热以使加热器区域的原料熔化形成熔区；所述加热器为独立控制的两套，两套加热器按晶体生长方向前后并排设置，其中前加热器用于控制熔区前端的固液界面，后加热器用于控制熔区后端的固液界面。本发明通过两加热器功率的升降来调节各自对应的固液界面的位置，能够同时兼顾熔区前后固液界面，从而达到熔区长度的控制，更好地控制晶体生长过程和掺杂浓度在熔体中的分布，提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN118932477A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004787.9
申请日：2024-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种生长大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶的方法，具体包括如下步骤：步骤1：将CeO2、Yb2O3、Y2O3和Al2O3按配比混合均匀，装入压料模具中将其压制成原料块；步骤2：将原料块放入带有籽晶槽的坩埚中，并在坩埚内的籽晶槽中加入籽晶，随后将坩埚放入水平定向晶体生长炉的加热器中；步骤3：晶体生长炉内处于真空状态下，升温至原料完全熔化；步骤4：原料熔化后，从引晶点处到放肩结束位置处，坩埚的移动速度从0～1mm/h逐渐增加到1～3mm/h；坩埚开始移动的同时，通过加料机构将CeO2添加至熔体中；步骤5：待坩埚完全移出加热器后，完成Ce:Yb:YAG晶体的生长，随后冷却至室温，关闭真空，得到所述大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶。
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公开(公告)号：CN117802571A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410087949.3
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种用于生长长板条状晶体的坩埚，包括上方为敞口结构的坩埚本体，坩埚本体内具有沿坩埚本体前后方向延伸的晶体生长凹槽，晶体生长凹槽具有放肩生长段、等宽生长段和籽晶夹持段，放肩生长段为沿坩埚本体由前向后截面宽度逐渐增大的扩张段，等宽生长段为放肩生长段的后端沿坩埚本体前后方向向后延伸的条形段，等宽生长段的截面宽度与放肩生长段的最大截面宽度一致，籽晶夹持段为放肩生长段的前端沿坩埚本体前后方向向前延伸的籽晶容纳段。本发明中的坩埚通过设置宽度扩张的放肩生长段实现了对晶体生长速度的有效控制，结合本发明公开的晶体生长装置，提高了晶体利用率，促进了大尺寸板状晶体材料的快速发展。
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公开(公告)号：CN117802570A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410087948.9
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温场梯度可调的用于生长板条状晶体的装置，包括炉膛，炉膛内沿水平方向设置有条形坩埚，炉膛内还设置有用于对条形坩埚进行支撑的坩埚支架，条形坩埚的外围设置有沿条形坩埚长度方向依次排列且绕条形坩埚环设的加热装置，加热装置能够各自对其加热温度进行控制，所有的加热装置排列后的长度大于条形坩埚的长度，炉膛对应条形坩埚其中一端的位置设置有炉膛口，炉膛口处盖设有炉门。本发明还公开了一种利用上述装置进行生长板条状晶体的方法，通过控制多组加热装置调节温场梯度，实现了温场梯度按照相应方向和速率移动，提高了板条状晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN117772926A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410068065.3
申请日：2024-01-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种制备熔料坩埚的模具及方法，模具包括配套的定型模具和成型模具；定型模具具有与待制备熔料坩埚内腔匹配的外轮廓；成型模具包括底板，底板和定型模具的底部形状对应；在底板的四周可转动连接有侧压板；当定型模具放置于底板上时，所有侧压板可转动至与定型模具对应侧面贴合；底板和所有侧压板的下表面分别设有加热单元。本发明能保证钨皮能被均匀加热至合适的折弯温度，确保钨皮既能具有较强的韧性，又不会因为温度过高而被严重氧化，且整个过程操作简单，一次成型到位，效率高。
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公开(公告)号：CN117904701A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410068067.2
申请日：2024-01-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法，装置包括生长腔室，生长腔室内放置坩埚，所述坩埚上方敞口并设有籽晶夹持口、放肩生长段和等宽生长段；生长腔室的外部沿坩埚的长度方向环设有感应线圈；坩埚的上表面设有盖板，盖板将坩埚放肩生长段全段和等宽生长段除尾部外的其余区域上方敞口封盖，等宽生长段尾部保留的敞口区域构成装料口；还包括直线运动机构，所述直线运动机构用于使得感应线圈和生长腔室之间沿坩埚内结晶方向产生相对运动。本发明将上方设计有封盖的坩埚放于可移动式温场结构内进行感应加热、生长晶体，能为晶体生长提供一个均匀、稳定的温场，避免生长出的板状晶体出现多晶、杂质、云层、开裂等缺陷。
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