公开(公告)号：CN119413959A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411503732.2

申请日：2024-10-25

Applicant: 中国建筑西南勘察设计研究院有限公司

Inventor： 陈正峰 ,  赵春章 ,  王文国 ,  文兴 ,  黎鸿 ,  朱少正 ,  李微 ,  李永林 ,  李辉 ,  王家勇

IPC: G01N33/00 ,  G05D27/00

Abstract: 本发明涉及高陡岩质边坡种植环境模拟技术领域，具体涉及一种模拟植物生长条件的试验装置和方法。本发明充分考虑了高陡岩质边坡的地形条件和地下水状况，通过设计水槽与填充槽连通，模拟地下水，通过在填充槽内填充不同土类型的复合材料实现不同毛细上升高度，模拟地下水浸润现象，从而模拟现场山体的地下水赋存情况，在本方案中，山体坡度和地下水位、浸润线可根据实际工况调整，工况适应性好，为研究高陡岩质边坡种植技术和生态恢复研究提供了有力支持。