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公开(公告)号：CN109482421A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811453496.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种光纤金属涂层涂覆装置与光纤金属涂层涂覆方法。本发明的光纤金属涂层涂覆装置包括：用于容置金属材料的坩埚以及用于对所述坩埚内的金属材料的温度进行控制的温控系统；所述坩埚包括坩埚本体、坩埚盖、与所述坩埚本体配合使用的第一螺钉以及与所述坩埚盖配合使用的第二螺钉。本发明的光纤金属涂层涂覆装置的原料利用率高，裸光纤进入液态金属材料时的温度能够得到精确控制，穿丝简单方便，成功率高，液态金属材料不会从坩埚的上部溢出，裸光纤表面形成的金属涂覆层的厚度均匀。
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公开(公告)号：CN115124342A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210743343.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷工艺及喷雾共沉淀方法，公开了一种氧化镱铽磁光透明陶瓷基纳米粉体的合成方法、氧化镱铽磁光透明陶瓷及制备方法，以Yb3+、Tb3+共存的阳离子盐溶液和沉淀剂溶液为原料，将阳离子盐溶液以喷雾形式喷入到沉淀剂溶液中进行反应；喷雾沉淀结束后，搅拌、陈化，得到氧化镱铽沉淀前驱体，洗涤、烘干、筛分及煅烧得到氧化镱铽纳米粉体；将纳米粉体制成素坯，氮氢混合气气氛中以1500‑1550℃还原烧结6‑10h，获得氧化镱铽磁光透明陶瓷。本发明采用喷雾形式代替现有技术的滴加方式使阳离子盐溶液与沉淀剂溶液混合反应，大大提升粉体的分散性，制备的粉体粒径小、纯度高，采用该粉体制备的陶瓷无杂质峰、无气孔，晶粒尺寸均匀。
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公开(公告)号：CN114380599A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210094420.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属离子掺杂硒化锌激光透明陶瓷的制备方法。制备步骤包括：将化学气相沉积硒化锌和热扩散过渡金属离子掺杂硒化锌多晶块体材料在研钵中研磨成粉体，随后经过200目筛网，然后将粉体放入石墨模具中，用金属钼片和石墨纸隔开；最后将模具放入热压炉中按照设定好的烧结参数进行烧结；将热压炉降温至室温后取出样品进行抛光，获得过渡金属离子掺杂硒化锌激光透明陶瓷。本发明所涉及的工艺流程简单，可重复性强，成本低廉，避免了粉体制备过程中产生的不利影响，以及缩短了陶瓷制备周期。本发明所制备的过渡金属离子掺杂硒化锌激光透明陶瓷具有掺杂离子均匀分布，优异的光学质量和机械性能等优点。
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公开(公告)号：CN106629632B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610827983.5
申请日：2016-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所 , 四川省新材料研究中心
Abstract: 本发明公开了一种硒镓镉钡化合物及其制备方法、硒镓镉钡晶体及其制备方法和应用。硒镓镉钡化合物的化学式是Ba5CdGa6Se15；该硒镓镉钡化合物将含Ba物质、含Cd物质、含Ga物质和单质Se按一定量的摩尔比配料并混合均匀并高温固相反应制得；所述硒镓镉钡晶体化学式为Ba5CdGa6Se15，该晶体为非中心对称结构，属正交晶系，空间群为Ama2；该晶体是将硒镓镉钡化合物利用水平梯度冷凝法或坩埚下降法制备得到，其晶体生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体；该晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点。
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公开(公告)号：CN108069453A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201810045223.8
申请日：2018-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ho:Sc2O3纳米晶粉体的快速制备方法，包括：步骤一、阳离子盐溶液的配制；将氧化钪与氧化钬溶解于硝酸中，获得硝酸钪溶液与硝酸钬溶液，标定浓度，量取硝酸钪溶液与硝酸钬溶液，混合均匀，得到阳离子盐溶液；步骤二、沉淀剂溶液的配制；配制碳酸氢铵溶液，同时加入氨水，再加入硫酸铵分散剂，得到沉淀剂溶液；步骤三、喷雾沉淀；使用蠕动泵，通过气动喷雾头将沉淀剂溶液喷入置于超声波装置中阳离子溶液里，得到一种Ho:Sc2O3沉淀前驱体；步骤四、沉淀过滤和洗涤；步骤五、沉淀前驱体煅烧，获得所述的Ho:Sc2O3纳米粉体。本发明所制备的粉体具有高纯；高分散窄粒径分布，平均粒径100nm左右。
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公开(公告)号：CN105236980B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510813014.X
申请日：2015-11-19
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种ZrO2、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法。该方法对常规真空烧结制备氧化镥透明陶瓷的方法进行了改良，结合了LiF和ZrO2的助烧性能优点，通过工艺步骤的优化，避免了各自的劣势，最终用简单的工艺步骤，获得了高透明的氧化镥陶瓷。本发明的制备方法简单、成本低、效率高。并且本发明获得到氧化镥透明陶瓷透过率高，接近氧化镥理论透过率。
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公开(公告)号：CN107217302A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710326600.0
申请日：2017-05-10
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所 , 四川省新材料研究中心
Abstract: 本发明公开了一种硒锑镓钡化合物，化学式是Ba23Ga8Sb2Se38。本发明还公开了硒锑镓钡化合物的制备方法。另外，本发明还公开了一种硒锑镓钡晶体及其制备方法和应用。本发明的硒锑镓钡红外非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所获得的硒锑镓钡红外非线性光学晶体具有比较宽的红外透光波段、机械性能好、易于加工和保存等优点；该硒锑镓钡晶体可用于制作红外激光变频器件。
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公开(公告)号：CN105369343B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510903155.0
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所 , 四川省新材料研究中心
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的单温区竖直梯度冷凝生长方法的生长装置及单温区晶体生长方法。本发明利用该晶体生长装置首先将晶体生长原料装入生长安瓿，然后测试未放入安瓿时的空炉温场分布，将测试得到的空炉温场分布曲线和晶体生长所需温场条件相结合来确定生长安瓿的放置区域，放入安瓿后，再根据实时的温场测试来调节温场至符合晶体的生长工艺要求后，保温一段时间使晶体充分熔融，并设置降温程序，开始晶体生长。本发明所述方法可大幅降低单晶生长设备的成本，简化单晶生长工艺，通过炉体结构的简单设计实现温场梯度的可控，可满足多种晶体的生长需求，并且通过实时的温度调节可减少安瓿放入后对温场的扰动。
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公开(公告)号：CN107021462A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710278934.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所 , 四川省新材料研究中心
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/77 , C30B11/00 , C30B29/46 , G02F1/3551
Abstract: 本发明公开了一种硒镓锌钡化合物，化学式是Ba5ZnGa6Se15。本发明还公开了硒镓锌钡化合物的制备方法。另外，本发明还公开了一种硒镓锌钡晶体及其制备方法和应用。本发明的硒镓锌钡红外非线性光学晶体的生长中，晶体易长大且无包裹，具有生长速度较快、成本低、容易获得较大尺寸晶体等优点；所获得的硒镓锌钡红外非线性光学晶体具有比较宽的红外透光波段、机械性能好、易于加工和保存等优点；该硒镓锌钡晶体可用于制作红外激光变频器件。
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公开(公告)号：CN105926031A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610405379.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所 , 四川省新材料研究中心
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种用于管式单晶生长炉的观察窗。它包括套筒，透明石英片，石英放大镜，卡筒和盖套；所述套筒内间隔设置多个透明石英片，所述套筒内最下面的透明石英片设置在套筒内的底部，所述相邻透明石英片之间设置卡筒；所述套筒内的顶部设置有石英放大镜，所述套筒内最上面的透明石英片与石英放大镜之间设置有卡筒；所述盖套设置在套筒的上方用以将石英放大镜和套筒内的内部元件封闭以防滑落。本发明的观察窗结构具有安装方便，拆卸容易的特点；由于空气的导热性很差，因此该观察窗的结构具有更好的保温效果，对炉内径向温场的影响也更小；本发明的观察窗在一定程度上可以起到对径向温场的调节作用，具有更大的操作空间。
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