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公开(公告)号：CN112947363B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110127475.7
申请日：2021-01-29
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G05B23/02
摘要： 本发明公开了一种基于cRIO的强流加速器机器快保护系统，所述机器快保护系统以cRIO平台作为强流加速器的机器快保护平台，对强流加速器发生意外事故或发生故障时及时做出响应，报告传送至中央控制系统，实现机器快保护系统和中央控制系统的数据通信；机器快保护系统和中央控制系统均以EPICS为架构，cRIO平台作为EPICS架构中的IOC部件，cRIO平台作为EPICS CVS服务器端时，将系统需要的数据信息以标准的EPICS PV的形式发布共享，通过以太网传输至中央控制系统；cRIO平台作为EPICS CVC客户端时，接收并解析以太网中标准的EPICS PV发布共享的数据信息，执行相应的操作。
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公开(公告)号：CN104034740A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410196408.0
申请日：2014-05-12
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01N23/00
摘要： 基于能量损失聚焦成像的带电粒子照相装置，包括束流传输线和光学成像系统，其特征在于，束流传输线分成轴对称分布的前半段和后半段，所述光学成像系统位于束流传输线末端；，所述前半段的传输矩阵为六阶矩阵A：传输矩阵A满足色散消除条件：A12=0、A26=0、A21=0、A34=0、A43=0；前、后下标分别表示该元素所在的行、列。本发明的有益效果是：利用偏转磁铁和四极磁铁组成消色散成像系统，形成了聚焦成像的功能，同时在能量甄别平面上设置能量准直器，通过带电粒子的能量损失形成图像的对比度。
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公开(公告)号：CN103977506A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410218120.9
申请日：2014-05-22
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： A61N5/10
摘要： 本发明公开了一种质子断层扫描方法及装置，所述方法包括：首先利用治疗头发射出质子束，然后对所述质子束进行调制匹配整形，使所述质子束照射在客体的预定部位上，然后通过磁透镜组使所述质子束实现1：1成像，最后利用闪烁体晶体和CCD相机实现图像的实时采集，解决了现有的质子断层扫描方法存在扫描不准确存在误差，空间分辨率较差的技术问题，实现了制造断层扫描方法扫描准确扫描精度较高，误差较小，且空间分辨率较高的技术效果。
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公开(公告)号：CN103941278A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410199880.X
申请日：2014-05-13
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01T1/29
摘要： 本发明公布了一种电子束发射度测量装置及测量方法，包括测量靶室，在测量靶室的输出端设置有反射镜、以及测量窗口，在所述测量靶室上还安装有真空泵，在所述测量靶室内还安装有一个可沿测量靶室的轴线自由移动的能量转换靶、以及测量能量转换靶位置的测量机构。本发明采用在固定磁场参数条件下通过改变测量位置的方法来减少参与数据拟合时的参数个数到1个；利用刻度指示的可移动能量转换靶及真空动密封机构以保证在改变测量位置时不会破坏加速器的真空环境，并直接获取测量位置数据，可以大幅度提高测量工作效率；通过多个位置测量数据，增加数据测量点的形式以提高拟合的稳定性和精度。
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公开(公告)号：CN110646835A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911049579.X
申请日：2019-10-31
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
摘要： 本发明公开了一种缩短LYSO晶体闪烁衰减时间的实验装置，包括竖直设置的保温套筒，所述保温套筒包括竖直设置的样品放置筒，所述样品放置筒的内部区域为加热腔，所述样品放置筒采用导热绝缘材料制成，所述样品放置筒内表面中部设有晶体固定机构，所述样品放置筒外表面均匀布置有加热丝，形成加热层。本发明还公开了上述实验装置的实验方法。本发明通过在样品放置筒的正上方设置光电探测器对加热后的样品晶体的闪烁衰减时间进行检测，发现其闪烁衰减时间从原来的36-42ns变成了8-12ns；克服了本领域技术人员认为LYSO晶体闪烁不能用于高重频实验的技术偏见。
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公开(公告)号：CN105848403B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
发明人： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
摘要： 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN106970411A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710316145.6
申请日：2017-05-08
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01T1/29
CPC分类号： G01T1/2907
摘要： 本发明公开了一种电子束发散角分布测量装置及测量方法，包括密封真空靶室、转换靶、防散射遮光筒，在密封真空靶室上设置有与防散射遮光筒对应的光线输出窗口，还包括一个成像系统，电子束轰击转换靶后产生切伦科夫辐射光，切伦科夫辐射光进入防散射遮光筒后通过光线输出窗口输出，经过窄带滤光片滤光后在成像系统上成像。本发明利用电子束轰击转换靶后产生切伦科夫辐射光，进入防散射遮光筒后通过光线输出窗口输出，经过窄带滤光片滤光后在成像系统上进行焦平面成像，利用焦平面的成像进行反演推算出电子束的发散角分布。
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公开(公告)号：CN106247945A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610854656.9
申请日：2016-09-27
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01B11/00
CPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明公开了一种位置探测器及其探测方法，所述位置探测器包括：第一一维位置敏感器、第二一维位置敏感器、标准位置处理电路、位置信号定标电路、位置信号偏置处理电路，其中，第一一维位置敏感器、第二一维位置敏感器均与标准位置处理电路连接，标准位置处理电路与位置信号定标电路连接，位置信号定标电路与位置信号偏置处理电路连接，第一一维位置敏感器的一端与第二一维位置敏感器的一端之间的夹角为90度，实现了位置探测器及其探测方法设计合理，实时性较好、输出信号速度快、成本较低的技术效果。
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公开(公告)号：CN107071309B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710316120.6
申请日：2017-05-08
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于CCD电极直接控制的高速双幅脉冲图像曝光方法，发光脉冲图像经过成像镜头，然后成像在CCD相机上；针对CCD正常信号电荷包的产生、转移及传输，在两次曝光驱动脉冲中间极短的无效时间内设计一种转移、传输驱动时序，利用转移电极隔离信号电荷包的功能在曝光脉冲无效期间的后期进行信号电荷包的隔离，从而起到两次曝光产生的信号电荷包是可以分辨的效果，并满足在曝光脉冲无效期间实现信号电荷包的正常转移及传输，进而获得一种双幅脉冲图像的超高时间分辨的成像能力。本发明没有了图像增强器对信号的动态范围的压缩作用及附加的额外噪声的影响，最大限度地发挥了CCD本身的成像性能，满足较高的科学成像要求。
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公开(公告)号：CN107063082B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610910346.4
申请日：2016-10-19
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
摘要： 本发明公开了一种天平加载头位姿检测装置，所述装置包括：指示光源、位置探测结构，所述指示光源安装在待检测天平加载头上表面，所述位置探测结构包括：指示光斑照射靶面、光学成像系统、位置探测器，所述指示光斑照射靶面开设有中心孔，所述位置探测器的端面设有开口，所述开口中心线与所述中心孔中心线重合，所述位置探测器固定在所述指示光斑照射靶面的背面，所述光学成像系统位于所述指示光斑照射靶面的正面前方，实现了利用本申请中的装置加载头位置姿态的大范围变化监测与复位位置姿态附近的高精密检测可以同时进行，并满足了加载头位置姿态检测的大范围、高精度测量要求。
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