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公开(公告)号：CN114487257A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210051078.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: G01N31/12
Abstract: 本发明公开了一种气氛可控的固体燃烧特性研究实验装置及实验方法，本发明搭建了耐高温的反应炉，具有耐高温抗氧化能力，适用于氧气、氮气等多种气体成分；本发明可以实现燃烧气体组分、比例混合控制，能够用于研究不同气氛、不同气氛比例，以及不同压力条件对固体燃烧的影响。通过反应炉底部连接多通道气管、外界气源、流量控制阀和配套的管件，不同种类的气体经高压气源、流量控制阀、管道流进反应炉内，参与固体的燃烧反应，同时采用气氛传感器测量进气管内氧气浓度，可以与控制系统连接回路，能及时调整气体流量；本发明通过多段子加热元件可以实现整体加热和分上、下区加热的功能，解决了以往技术不能实现单侧加热的问题。
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公开(公告)号：CN111304741B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010321799.X
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法及转运方法，装置包括托盘、相变材料；托盘形成为中空结构；GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成，托盘内填充相变材料，托盘可以循环重复使用，利用GaN晶体生长环境吸热，在出炉区放热，充分利用了现有设备的环境，完成了现有技术中准备区的功能，简化了硬件，能耗、成本低；GaN晶体转运托盘装置的转运方法，包括密封工艺的设计；在填充过程中，增加了手套箱的操作，设计了抽负压的工艺流程环节，提高了装置的安全性能；将原有工艺中需要1h的工艺流程简化为约30min，大大提高了GaN晶体生长工艺的效率，提高了产能的同时，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102809324B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210321349.6
申请日：2012-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: F41B9/00
Abstract: 本发明公开了一种高速水柱惯性抛射筒，包括上筒体、筒座和限位环，所述筒座的上端边缘均匀分布有向上凸起的筒座凸块，相邻的所述筒座凸块之间形成凹槽，所述上筒体的下端边缘均匀分布有向外凸起的上筒体凸块，所述上筒体凸块置于所述凹槽内，所述上筒体凸块的厚度小于所述筒座凸块的高度，所述限位环套装于所述上筒体的外面。本发明通过上筒体和筒座采用分离式结构，在水柱出抛射筒的过程中，将抛射筒的底部与大气相通，消除抛射筒底部的负压，从而实现了规则水柱的发射过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102809324A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210321349.6
申请日：2012-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: F41B9/00
Abstract: 本发明公开了一种高速水柱惯性抛射筒，包括上筒体、筒座和限位环，所述筒座的上端边缘均匀分布有向上凸起的筒座凸块，相邻的所述筒座凸块之间形成凹槽，所述上筒体的下端边缘均匀分布有向外凸起的上筒体凸块，所述上筒体凸块置于所述凹槽内，所述上筒体凸块的厚度小于所述筒座凸块的高度，所述限位环套装于所述上筒体的外面。本发明通过上筒体和筒座采用分离式结构，在水柱出抛射筒的过程中，将抛射筒的底部与大气相通，消除抛射筒底部的负压，从而实现了规则水柱的发射过程。
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公开(公告)号：CN115219556A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211032746.1
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: G01N25/22
Abstract: 本发明公开了一种用于燃烧特性实验装置的长时观测系统，在加热装置的顶部开设有观测孔；防尘石英玻璃全覆盖观测孔的外端设置；折射镜安装在加热装置外部，折射镜置于观测孔上方，且折射镜与观测孔轴向方向成45°夹角；自动变光滤镜置于摄像机与折射镜之间；本申请解决了燃烧特性实验装置缺乏专门的实验过程长时观测系统的问题，可以长时、有效进行实验过程观测；解决燃烧特性实验装置因加热元件加热升温，而对相应布置的临时观测设备仪器造成高温损坏的问题；通过设置补偿灯，可以在燃烧特性实验初始阶段照亮加热装置内部试验件；通过设置自动变光滤镜，滤镜提高滤光强度，使摄像机能够将高亮的光线过滤掉，拍摄出清晰的成像。
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公开(公告)号：CN111304741A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010321799.X
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法及转运方法，装置包括托盘、相变材料；托盘形成为中空结构；GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成，托盘内填充相变材料，托盘可以循环重复使用，利用GaN晶体生长环境吸热，在出炉区放热，充分利用了现有设备的环境，完成了现有技术中准备区的功能，简化了硬件，能耗、成本低；GaN晶体转运托盘装置的转运方法，包括密封工艺的设计；在填充过程中，增加了手套箱的操作，设计了抽负压的工艺流程环节，提高了装置的安全性能；将原有工艺中需要1h的工艺流程简化为约30min，大大提高了GaN晶体生长工艺的效率，提高了产能的同时，降低了成本。
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公开(公告)号：CN202734673U
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201220444789.6
申请日：2012-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
IPC: F41B9/00
Abstract: 本实用新型公开了一种高速水柱惯性抛射筒，包括上筒体、筒座和限位环，所述筒座的上端边缘均匀分布有向上凸起的筒座凸块，相邻的所述筒座凸块之间形成凹槽，所述上筒体的下端边缘均匀分布有向外凸起的上筒体凸块，所述上筒体凸块置于所述凹槽内，所述上筒体凸块的厚度小于所述筒座凸块的高度，所述限位环套装于所述上筒体的外面。本实用新型通过上筒体和筒座采用分离式结构，在水柱出抛射筒的过程中，将抛射筒的底部与大气相通，消除抛射筒底部的负压，从而实现了规则水柱的发射过程。
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公开(公告)号：CN211897165U
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202020614470.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国工程物理研究院总体工程研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，装置包括托盘、相变材料；托盘形成为中空结构，相变材料填充于托盘内中空处；GaN晶体置于托盘上；GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成，托盘内填充相变材料，托盘可以循环重复使用，利用GaN晶体生长环境吸热，在出炉区放热，充分利用了现有设备的环境，完成了现有技术中准备区的功能，简化了硬件，能耗、成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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