公开(公告)号：CN118800650A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410925600.2

申请日：2024-07-11

Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 ,  许继电气股份有限公司 ,  西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 赖桂森 ,  谢桂泉 ,  方苏 ,  罗宇航 ,  徐晟 ,  王晨涛 ,  苏国磊 ,  张朝辉 ,  苏杰和 ,  凌永兴 ,  焦石 ,  龙建华 ,  甘卿忠 ,  庄小亮 ,  刘宇航 ,  黄永瑞 ,  邵珠柯 ,  张磊 ,  王国卫 ,  王映卓 ,  李梦

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种脉冲晶闸管铝金属电极的形成方法，包括如下步骤：在脉冲晶闸管阴极、门极处加工出厚度均匀的铝层；在铝层表面涂覆光刻胶膜后进行曝光显影，在铝层上形成具有预设形状的刻蚀窗口，刻蚀窗口位于门极与阴极之间的区域；使门极与阴极之间形成空间间隔区；去除剩余铝层表面的光刻胶膜，并在脉冲晶闸管表面再次涂覆光刻胶膜且曝光显影；采用干法刻蚀对门极刻蚀窗口内的铝层进行刻蚀；与现有技术相对比，本发明具有以下有益效果:通过本发明的脉冲晶闸管铝电极形成方法，既可以避免现有铝电极工艺中两次蒸铝造成的生产周期长、成本高的问题，又能解决门阴极高度差造成的钻蚀问题，提升脉冲晶闸管的di/dt性能和门‑阴极长期可靠性。

公开(公告)号：CN119395489B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510001044.4

申请日：2025-01-02

Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张进 ,  李明 ,  李探 ,  张刚琦 ,  李梦 ,  赵书静 ,  赵峥 ,  于苗 ,  刘思源 ,  张岐宁 ,  苑宾 ,  徐礼强 ,  刘钊汝 ,  王莹鑫 ,  纪卫峰 ,  李志闯 ,  尹聪琦 ,  周邦昊 ,  郭勇帆 ,  孟羽

IPC: G01R31/14 ,  G01R31/26 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。

公开(公告)号：CN119890195A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510136807.6

申请日：2025-02-07

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张岐宁 ,  纪卫峰 ,  李梦 ,  张刚琦 ,  毛利刚 ,  徐礼强 ,  于苗 ,  张劲攀 ,  段茹

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供了一种芯片抗爆封装结构，包括：精准击穿晶闸管芯片；所述的精准击穿晶闸管芯片的第一表面设有设置有阴极总成，精准击穿晶闸管芯片的第二表面设有设置有阳极总成，阴极总成与阳极总成之间安装有抗爆环，阳极总成、阴极总成与抗爆环形成第一腔体空间；所述的阴极总成与阳极总成之间设置有陶瓷伞裙，阳极总成外焊接有第一阳极焊接环与第一阴极连接环，阴极总成外焊接有第一阴极焊接环，阳极总成、第一阳极焊接环、陶瓷伞裙、第一阴极连接环、第一阴极焊接环、阴极总成组成第二腔体空间，本发明的芯片抗爆封装结构在保证通流能力的同时，在封装内部提供了足够的腔体空间，通过内部放置特殊装置抗爆环，提高了精准击穿晶闸管的抗爆能力。

公开(公告)号：CN119395489A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510001044.4

申请日：2025-01-02

Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张进 ,  李明 ,  李探 ,  张刚琦 ,  李梦 ,  赵书静 ,  赵峥 ,  于苗 ,  刘思源 ,  张岐宁 ,  苑宾 ,  徐礼强 ,  刘钊汝 ,  王莹鑫 ,  纪卫峰 ,  李志闯 ,  尹聪琦 ,  周邦昊 ,  郭勇帆 ,  孟羽

IPC: G01R31/14 ,  G01R31/26 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。

公开(公告)号：CN221239033U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202323231686.9

申请日：2023-11-29

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 周杰 ,  段鑫 ,  张琦 ,  于庆 ,  李更生 ,  乔宇 ,  纪卫峰 ,  李梦 ,  范佩佩

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/327

Abstract: 一种用于测量IGCT驱动输出能力的标准化模块，为了解决IGCT驱动输出能力测试困难、调试难度大、耗时、成本高的问题，本实用新型包括：印制电路板、二极管、铜皮、铜螺柱、铜垫片、铜螺母、门极环、阴极环。模块通过铜螺柱、铜垫片和铜螺母与IGCT驱动电路集成在一起，二极管用于模拟GCT芯片的PN结，铜皮便于连接电流传感器测量IGCT驱动输出值，铜螺柱、铜垫片和铜螺母起连接作用和通电流作用，本实用新型采用标准化模块测量IGCT驱动输出能力，提高了IGCT驱动的调试和生产效率，采用标准化模块代替模拟GCT芯片，可显著减小IGCT整体测试时对GCT芯片损坏率，节省IGCT成本。

公开(公告)号：CN219760991U

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202321029687.2

申请日：2023-05-04

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 周杰 ,  张琦 ,  范佩佩 ,  范超 ,  于庆 ,  纪卫峰 ,  李梦

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/687

Abstract: 一种模块化组合式的IGCT门极驱动单元结构，为了解决现有驱动单元空间利用率不高，维修不便且成本大，不利于门极驱动的提升与改进的问题，通过模块化的驱动电路设计，模块化系统包括：控制模块、信号接收及反馈模块、电源模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块、电容器组模块，控制模块与信号接收及反馈模块、门极电流触发及电荷抽取模块、驱动状态检测模块相连接，进行控制信号发送与接收；电源模块连接控制模块、电容器组模块；本实用新型将IGCT门极驱动电路各部分进行模块化设计，可有效简化安装调试步骤，提升维修替换的便捷性，同时对驱动各模块间互不影响的改造升级提供了便利。