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公开(公告)号:CN117686659A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311693883.4
申请日:2023-12-11
Applicant: 中国兵器装备集团西南技术工程研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明提供了一种立体化氯离子监测装置及监测方法,包括立杆、横梁,立杆上套设有活动环,活动环上设有弧形采集片,由所有弧形采集片共同围合成外轮廓呈球面的球形结构,相邻弧形采集片之间呈V形空间;活动环连接在绳子末端。监测方法步骤包括:在设定时间点控制驱动电机运行,先使活动环和弧形采集片在重力作用下顺着立杆下落,并没入集液槽内的液面之下设定时间,然后控制动环和弧形采集片回升至目标高度。本发明不仅适用于在任何风向的情况下采集氯离子,而且能够有针对性的只采集特定气流中的氯离子,还能够在无需使用防雨棚的情况下避免了纱布上氯离子易饱和的情况,更关键地是能够长期实现氯离子的在线、快速监测。
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公开(公告)号:CN119961608A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510051377.8
申请日:2025-01-13
Applicant: 中国兵器装备集团西南技术工程研究所
Inventor: 任宏宇 , 杨小奎 , 王成章 , 罗丹 , 张世艳 , 黄博宇 , 周堃 , 李鸿飞 , 杨万均 , 黄文明 , 陈源 , 贺斌 , 李旭 , 吴德权 , 田丰源 , 王健坤 , 郭赞洪
IPC: G06F18/20 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06N3/0442 , G06N3/0985
Abstract: 本发明公开了一种基于退化特征提取和误差补偿的电子元器件寿命预测方法,所述方法包括:S1:数据采集并进行预处理;S2:采用SVMD技术对数据中的退化特征提取;S3:建立电子元器件寿命预测模型并采用贝叶斯优化技术优化寿命预测模型;S4:建立误差序列预测模型,生成误差预测结果,用于补偿电子元器件的寿命预测结果,从而得到误差补偿后的电子元器件寿命预测模型;S5:利用误差补偿后的电子元器件寿命预测模型,对电子元器件在不同退化时间的退化特征进行预测,从而得到电子元器件的剩余使用寿命。本发明的方法能够提高对于电子元器件寿命预测的准确性。
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