一种打孔超材料反射单元及其阵列天线

    公开(公告)号:CN116706530A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310811467.3

    申请日:2023-07-04

    摘要: 本发明公开了一种打孔超材料反射单元及其阵列天线,包括辐射贴片、上层介质基板、下层介质基板、金属地和移相单元;上层介质基板的厚度小于下层介质基板的厚度,上层介质基板的介电常数小于下层介质基板的介电常数;辐射贴片为正方形金属贴片;移相单元包括均布在下层介质基板中的四个贯通孔;通过调节贯通孔半径,调节下层介质基板的等效介电常数,进而改变打孔超材料反射单元的反射相位;打孔超材料反射单元的厚度不超过中心频率对应波长的0.1倍。本发明将反射单元的移相结和辐射结构分开设计,既减小了辐射贴片尺寸变化引起的损耗,提高反射阵列天线的辐射效率,同时又减小了打孔超材料的厚度,实现反射阵列天线的低剖面设计。

    一种具有双模态的反射型超表面涡旋波天线

    公开(公告)号:CN115036707A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210786919.2

    申请日:2022-07-04

    摘要: 本发明公开了一种具有双模态的反射型超表面涡旋波天线,包括反射面和馈源;反射面包括若干个呈阵列排布的双线极化反射单元;每个双线极化反射单元均包括从上至下依次布设的十字贴片、介质基板、相位延迟线、空心层和金属地;十字贴片包括垂直相交的x向贴片和y向贴片;x向贴片沿x向布设,y向贴片沿y向布设;相位延迟线包括外侧延迟线和内侧延迟线;外/内侧延迟线为两条中心对称的外圆弧或内圆弧;两条外/内圆弧的一端分别与十字贴片通过金属化通孔相连接;另一端沿逆时针方向变化。本发明能在不同方向的线极化下分别实现模态数为+1和+2的涡旋波,通过极化方式的切换实现模式复用,解决了传统超表面涡旋波天线模态单一的问题。

    一种宽带微带平面反射单元及阵列天线

    公开(公告)号:CN113036449A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110296682.5

    申请日:2021-03-19

    摘要: 本发明公开了一种宽带微带平面反射单元及阵列天线,包括微带移相单元、介质基板和金属地板;微带移相单元和金属地板分别印刷在介质基板的顶面和底面;微带移相单元包括从内至外依次布设同心布设的内层谐振单元、中层谐振单元和外层谐振单元;内层谐振单元包括直线金属带和两条内层圆弧;中层谐振单元包括两条中层圆弧;外层谐振单元包括两条外层圆弧;每个中层圆弧的径向厚度为θ2保持不变,每个外层圆弧的径向厚度为θ3大于每条内层圆弧的圆心角为θ1,且能随同步变化θ1。本申请仅通过改变变量θ1,即实现反射单元中反射相位变化,并使变化范围突破360°的限制,进而超过500°,从而能大幅提高反射阵列的宽带。

    一种具有手性结构的透射型超表面涡旋波天线

    公开(公告)号:CN116632533B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202310850897.6

    申请日:2023-07-12

    摘要: 本发明公开了一种具有手性结构的透射型超表面涡旋波天线,包括透射面和馈源;透射面包括若干个呈阵列排布的线极化透射单元;每个线极化透射单元均包括从上至下依次同轴布设的上圆形贴片、上介质基板、金属地、下圆形贴片和下介质基板;上、下圆形贴片均为半径r1的圆形金属贴片,两者中心通过金属化通孔实现电导通;上圆形贴片上开设有关于M轴对称的上U型缝隙;下圆形贴片上开设有关于N轴对称的下U型缝隙;其中,M轴和N轴经过对应圆形贴片的圆心,且相垂直;上、下U型缝隙能随r1同步增大或缩小。本发明能独立调控单元的相位和幅度以产生非衍射OAM波束,通过交叉极化方式实现相位与幅度的解耦,从而模态纯度高,透射率高。

    一种1bit超表面单元及可重构反射阵列天线

    公开(公告)号:CN116598789A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310613202.2

    申请日:2023-05-29

    摘要: 本发明公开了一种1bit超表面单元及可重构反射阵列天线,包括馈源和和反射面;反射面采用超表面单元呈阵列排布。超表面单元包括从上到下依次布设的辐射贴片、上层介质基板、金属地、下层介质基板和直流控制线;辐射贴片包括两个E型贴片、两个T型贴片、两个电容和PIN二极管;两个E型贴片之间形成中间缝隙和两个侧缝隙;中间缝隙连接PIN二极管,两个侧缝隙均连接电容;两个T型贴片对称布设在两个E型贴片外周,且两者间具有等宽的间隔缝隙。本发明通过直流控制线对PIN二极管进行通断控制,以实现单元相位0°和180°两个状态。通过FPGA控制反射阵列中每个单元的状态,从而改变口径面上的相位分布,实现反射波束在±60°内扫描。