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公开(公告)号：CN115074826A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210747143.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明属于单晶金刚石制备工艺技术领域，具体涉及一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺。本发明针对现有技术中存在的不足，提出了一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺，通过激光切割精加工的方式降低单晶金刚石的表面粗糙度，并使用CO2在高温下对切割面进行刻蚀，促进生长表面的“平坦”化，以便取代常规的表面抛光工艺，实现晶种的直接生长，提高生产效率。本发明所述制备CVD单晶金刚石的工艺，采用特殊的工艺方法对生长过程加以控制，省去了抛光处理的过程，提高了生产效率，为单晶金刚石的工业化生产提供稳定保障，具有较高的发展前景和经济价值。
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公开(公告)号：CN108977881B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201811009881.8
申请日：2018-08-31
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明属于单晶金刚石制备技术领域，具体涉及一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法。所述抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法，包括以下步骤：1）衬底的制备与选取：分切单晶得到若干衬底，所述衬底具有（100）取向，厚度为300‑350μm；2）衬底的预处理：将步骤1）中的衬底依次经酸处理、丙酮和酒精超声清洗后，选择质量较好、无杂质缺陷的一面作为生长表面；3）晶体的生长。本发明通过严格控制制备过程中每个步骤的气体流量比例和功率压力配比，根据每个生长阶段设计相应的参数比例，并配合严格的温度控制，最终改善单晶金刚石的沉积质量。
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公开(公告)号：CN115074826B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210747143.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明属于单晶金刚石制备工艺技术领域，具体涉及一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺。本发明针对现有技术中存在的不足，提出了一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺，通过激光切割精加工的方式降低单晶金刚石的表面粗糙度，并使用CO2在高温下对切割面进行刻蚀，促进生长表面的“平坦”化，以便取代常规的表面抛光工艺，实现晶种的直接生长，提高生产效率。本发明所述制备CVD单晶金刚石的工艺，采用特殊的工艺方法对生长过程加以控制，省去了抛光处理的过程，提高了生产效率，为单晶金刚石的工业化生产提供稳定保障，具有较高的发展前景和经济价值。
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公开(公告)号：CN108977881A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201811009881.8
申请日：2018-08-31
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明属于单晶金刚石制备技术领域，具体涉及一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法。所述抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法，包括以下步骤：1）衬底的制备与选取：分切单晶得到若干衬底，所述衬底具有（100）取向，厚度为300-350μm；2）衬底的预处理：将步骤1）中的衬底依次经酸处理、丙酮和酒精超声清洗后，选择质量较好、无杂质缺陷的一面作为生长表面；3）晶体的生长。本发明通过严格控制制备过程中每个步骤的气体流量比例和功率压力配比，根据每个生长阶段设计相应的参数比例，并配合严格的温度控制，最终改善单晶金刚石的沉积质量。
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公开(公告)号：CN220999953U
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202322523520.8
申请日：2023-09-18
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种生长金刚石的MPCVD装置，包括微波导向电线、壳体、石英隔板、上磁极、下磁极、基座、样品台和反应室，所述壳体的顶部设置微波导向电线，所述微波导向电线伸入壳体内部；所述壳体的底部设置石英隔板；所述反应室的内部设置上磁极、下磁极、基座和样品台，所述基座上表面设置样品台、下磁极，所述样品台的周围设置下磁极，所述上磁极沿反应室内壁的圆周设置，所述上磁极与下磁极均设有多个且数量相等，所述多个上磁极与多个下磁极均以样品台的中心线为对称线呈中心对称且呈环状分布，每个上磁极均与其下方的对应下磁极相对放置，所述下磁极的上表面向样品台倾斜，使得等离子体热量分布均匀，金刚石表面的热量分布均匀，进而提高金刚石外延层的沉积速率。
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