公开(公告)号：CN118851362A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410880697.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 中南大学 ,  湖南华创新科技发展有限公司

Inventor： 王海鹰 ,  卿悦文 ,  严律己 ,  贺颖捷 ,  陈鹏 ,  张廷政 ,  欧阳白雪 ,  费飞

IPC: C02F1/469

Abstract: 本发明提供了一种流动电极电容的去离子方法及系统。该去离子系统包括流动电极电容装置、第一输送泵、第二输送泵、第三输送泵、电极浆液和脉冲电源；第一输送泵与阳极腔室构成第一循环通道，第二输送泵与阴极腔室构成第二循环通道，第三输送泵与待处理液腔室构成第三循环通道；脉冲电源与流动电极电容装置电连接，并在流动电极电容装置上产生由阳极腔室指向阴极腔室的脉冲电场。上述的流动电极电容的去离子系统中，通过脉冲电源驱动强化FCDI过程中离子迁移，通过“通—断—通”交替性脉冲作用机制为FCDI吸附过程提供一定的弛豫时间，可有效缓解离子交换膜表面离子的浓差极化行为，有利于离子的跨膜运输。

公开(公告)号：CN118908367A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410880723.9

申请日：2024-07-02

Applicant: 中南大学 ,  湖南华创新科技发展有限公司

Inventor： 王海鹰 ,  卿悦文 ,  严律己 ,  贺颖捷 ,  陈鹏 ,  张廷政 ,  欧阳白雪 ,  费飞

IPC: C02F1/469 ,  C02F1/46 ,  C02F103/08

Abstract: 本发明提供了一种流动电极电容装置、系统、制备及应用。该流动电极电容装置，包括依次设置的第一集流体、阳离子交换膜、进液隔板、阴离子交换膜和第二集流体。第一集流体和第二集流体二者的工作面分别具有第一流道和第二流道，第一流道和第二流道中的至少一者为网状流道。第一集流体和第二集流体的网状流道为交联互通的分散性流道，并且流道的夹角、长度均进行了优化，如此交联互通的流道所产生的分散性流场能够有效降低电极浆液的流动阻力，使电极颗粒均匀地分布在流道内，避免颗粒在流道内的持续性聚集或沉降过程，有利于电子传导向流道中心区域扩展，强化电极浆液的电荷转移过程和离子捕集效率。

公开(公告)号：CN116417593A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310345662.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 中南大学

Inventor： 欧阳白雪 ,  刘维芳 ,  刘细昌 ,  刘开宇

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/054 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  C01B32/05 ,  C01G53/00 ,  C01G51/00 ,  C01G45/12

Abstract: 本发明公开了一种硒‑碳包覆的层状金属氧化物钠离子电池正极活性材料、制备方法，该正极活性材料包括层状金属氧化物、硒‑碳包覆层，所述正极活性材料的化学结构式为Se@C‑NaxMnαNiβCuγCoθO2，其中：x表示Na的含量；α表示Mn的含量；β表示Ni的含量；γ表示Cu的含量；θ表示Co的含量，0.44＜x≤0.8，0.5≤α≤1，0≤β≤0.5，0≤γ≤0.5，0≤θ≤0.5，且α+β+γ+θ＝1；所述层状金属氧化物的晶体结构为P2型，具有六方最紧密堆积，空间群P63/mmc。采用2,3‑二羟基萘作为碳源，用溶剂分散时具有良好的分散性，能更好的分布在层状氧化物正极材料表面，并且独特的碳基包覆结构作为Se和Na+反应牢固的存储空间，表现出良好的物理约束空间，保证整体的结构稳定性。

公开(公告)号：CN116417593B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202310345662.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 中南大学

Inventor： 欧阳白雪 ,  刘维芳 ,  刘细昌 ,  刘开宇

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/054 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  C01B32/05 ,  C01G53/00 ,  C01G51/00 ,  C01G45/12

Abstract: 本发明公开了一种硒‑碳包覆的层状金属氧化物钠离子电池正极活性材料、制备方法，该正极活性材料包括层状金属氧化物、硒‑碳包覆层，所述正极活性材料的化学结构式为Se@C‑NaxMnαNiβCuγCoθO2，其中：x表示Na的含量；α表示Mn的含量；β表示Ni的含量；γ表示Cu的含量；θ表示Co的含量，0.44＜x≤0.8，0.5≤α≤1，0≤β≤0.5，0≤γ≤0.5，0≤θ≤0.5，且α+β+γ+θ＝1；所述层状金属氧化物的晶体结构为P2型，具有六方最紧密堆积，空间群P63/mmc。采用2,3‑二羟基萘作为碳源，用溶剂分散时具有良好的分散性，能更好的分布在层状氧化物正极材料表面，并且独特的碳基包覆结构作为Se和Na+反应牢固的存储空间，表现出良好的物理约束空间，保证整体的结构稳定性。

公开(公告)号：CN118892132A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410934421.5

申请日：2024-07-12

Applicant: 中南大学

Inventor： 王海鹰 ,  刘济涛 ,  欧阳白雪 ,  张廷政 ,  陈鹏 ,  柴立元 ,  魏盾

IPC: A01N59/16 ,  A01N59/06 ,  A01P1/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种改性氧化镁抗菌材料的制备方法，涉及抗菌材料技术领域，包括以下步骤：S1、向溶剂中依次加入还原剂、适量的银盐，溶解后形成均匀溶液，然后搅拌充分，形成银纳米颗粒悬浮液；S2、将设定比例的氧化镁加入步骤S1所得银纳米颗粒悬浮液中，分散均匀并搅拌充分，银纳米颗粒原位生长于氧化镁表面，反应完成后，收集沉淀物，对沉淀物依次进行洗涤、干燥，得到改性氧化镁抗菌材料；本发明一种改性氧化镁抗菌材料的制备方法，采用原位生长进行金属银负载的氧化镁抗菌纳米材料的制备，操作简单，在工业应用上具有良好前景。