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公开(公告)号：CN119822425A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510137712.6
申请日：2025-02-07
IPC: C01G53/84 , H01M4/505 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种锰基正极材料的前驱体及其制备方法与应用，所述锰基正极材料的前驱体的化学式为NixMnyCo1‑x‑y(OH)2，其中：0.65≤y≤0.9，0＜x≤0.3；其一次颗粒为纺锤形颗粒。本发明中锰基正极材料的前驱体的一次颗粒为纺锤形，纺锤形颗粒有助于在煅烧的过程中形成结构更稳定的锰基正极材料，进而可有效提高电池的比容量和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN118255401A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410360437.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 格林美股份有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种低钠硫富锂锰基碳酸盐前驱体及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：底液中同时通入镍钴锰混合溶液、沉淀剂与络合剂，进行共沉淀反应；共沉淀反应结束后在陈化溶液中进行陈化，得到低钠硫富锂锰基碳酸盐前驱体；所述陈化溶液包括铵盐与脂类有机溶剂。本发明通过在陈化溶液中陈化有助于减弱碳酸盐前驱体颗粒层间作用力，从而增大颗粒片层之间的距离，打开了颗粒片层之间Na+和NH4+的置换通道，有效地降低了前驱体材料中的钠杂质含量，从而制备了一种低钠硫富锂锰基碳酸盐前驱体，提升了后续正极材料的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN119160953A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411358235.8
申请日：2024-09-27
Applicant: 格林美股份有限公司 , 格林美(深圳)超级绿色技术研究中心有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种大颗粒超高镍三元前驱体及其制备方法和应用。所述方法包括以下步骤：S1.在反应底液中并流通入三元混合金属盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液，进行共沉淀过程的形核阶段反应；S2.形核阶段反应结束后依次进行第一次生长阶段反应和第二次生长阶段反应，得到所述大颗粒超高镍三元前驱体，其中所述第一次生长阶段反应的pH值大于所述第二次生长阶段反应的pH值。本发明通过改善超高镍三元前驱体的制备方法，最终得到一种兼具较大颗粒粒径、球形度良好、振实密度高以及无裂纹的超高镍三元前驱体。
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公开(公告)号：CN118993168A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410989321.2
申请日：2024-07-23
Applicant: 格林美股份有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种无钴镍锰二元前驱体材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将镍锰金属源溶液、沉淀剂溶液和第一络合剂溶液混合，进行共沉淀反应的成核阶段；在所述成核阶段结束后，调节共沉淀反应的pH，并将第一络合剂溶液替换为含添加剂的第二络合剂溶液进行共沉淀反应的生长阶段，得到前驱体浆料；将所述前驱体浆料进行洗涤和烘干，得到所述无钴镍锰二元前驱体材料；所述洗涤采用的洗涤液中包括还原剂。本发明所述制备方法通过在共沉淀反应的生长阶段加入添加剂对晶体生长进行控制，并在后处理的洗涤阶段加入还原剂抑制锰氧化物析出，使得到的前驱体具有更好的结晶性和更低的锰氧化物析出量。
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公开(公告)号：CN118771478A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410884977.8
申请日：2024-07-03
Applicant: 格林美股份有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M10/0525 , H01M4/525
Abstract: 本发明提供了一种具有多孔铝梯度富锂锰基前驱体及其制备方法与应用，所述制备方法通过两步共沉淀反应，制备得到的具有多孔铝梯度富锂锰基前驱体颗粒包括致密的镍钴锰内核以及表面包覆的疏松多孔铝浓度梯度壳层，其内部致密，具有较高振实密度和能量密度，表面形成的多孔含铝壳层，增强了锂离子的传输与扩散，从而提高正极材料倍率性能；且表面多孔结构还可以缓解充放电过程中的应力变化，减少锂离子脱嵌诱导微裂纹的产生，提高正极材料结构稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118645612A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410668434.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 格林美股份有限公司
IPC: H01M4/505 , H01M4/131 , H01M4/36 , H01M10/0525 , C01G53/00 , C01G39/00 , C01G41/00 , C01G35/00 , C01G33/00
Abstract: 本发明涉及一种改性的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用，所述改性的富锂锰基正极材料包括富锂锰基正极材料，所述富锂锰基正极材料的体相中掺杂有高价过渡金属元素，所述富锂锰基正极材料的表相具有金属锂化物包覆层和氧空位。本发明提供的改性的富锂锰基正极材料中，同时具有体相高价过渡金属元素的掺杂、表相金属锂化物包覆层的包覆和氧空位的构筑，三者共同作用，能够使得富锂锰基正极材料的倍率性能和循环性能均有明显地提升，对于富锂锰基正极材料的进一步商业化具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN117263268A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311263735.9
申请日：2023-09-27
Applicant: 格林美股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单晶型富锂锰基前驱体及其制备方法与应用，所述单晶型富锂锰基前驱体的制备方法以草酸替代常规氨水作为络合剂，利用草酸与Mn2+的络合常数较高的特点，使所得富锂锰基前驱体中的金属离子可以达到分子级水平的混合，粒子间接触较好、粒度均匀。此外，草酸本身具有还原性，制备过程中无需额外添加还原剂，在得到富锂锰基前驱体后，直接使其在空气气氛下与碳酸锂混合，即可得到电化学性能优良且循环性能稳定的单晶型富锂锰基正极材料。
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公开(公告)号：CN118239533A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410360306.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 格林美股份有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种板状富锂锰基前驱体及其制备方法和应用。所述板状富锂锰基前驱体的形貌为板状结构一次颗粒相互交叉得到的球形或类球形的二次颗粒，所述板状富锂锰基前驱体的内部疏松多孔，所述板状结构一次颗粒的表面存在微孔结构。本发明的富锂锰基前驱体是一种特殊结构的板状富锂锰基前驱体，这种结构在保证了良好的结构稳定性的同时，提高了材料的比表面积，便于后续混锂烧结阶段与锂盐更好地反应，从而提高正极材料的电化学性能。此外，该特殊结构的富锂锰基前驱体经高温烧结制备的正极材料，可以有效地减少正极材料与电解液的不良副反应并抑制表面晶格氧的不可逆释放，从而提高材料的循环稳定性及容量保持率。
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公开(公告)号：CN119370915A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411497687.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 格林美股份有限公司 , 格林美(深圳)超级绿色技术研究中心有限公司
IPC: C01G53/84 , H01M4/36 , H01M10/0525 , C01G53/82 , C01G53/502 , C01G53/504
Abstract: 本发明提供了一种核壳结构的正极前驱体及其制备方法和用途。所述核壳结构的正极前驱体由内至外依次包括前驱体内核和前驱体外壳层；所述前驱体内核的孔隙率大于所述前驱体外壳层的孔隙率，且所述前驱体外壳层中的一次晶粒沿所述前驱体外壳层的径向方向定向排列分布。本发明提供的核壳结构的正极前驱体，振实密度高，杂质含量低，可以显著降低制备单晶正极材料时的烧结温度，从而有效地抑制了正极材料中锂镍混排现象，避免了正极材料颗粒的团聚，提升了正极材料的单晶度，提高了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN119080085A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411498125.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 格林美股份有限公司 , 格林美(深圳)超级绿色技术研究中心有限公司
IPC: C01G53/00 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种大颗粒富锂锰基前驱体及其制备、正极材料与应用，所述制备方法包括：(1)将第一混合盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液并流通入反应底液中，进行第一共沉淀反应，得到第一浆料；(2)将第二混合盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液并流通入步骤(1)所得第一浆料中，进行第二共沉淀反应，得到大颗粒富锂锰基前驱体；第二混合盐溶液中具有阴离子表面活性剂。制备方法的第二混合盐溶液中含有的阴离子表面活性剂，能够降低反应浆料的表面张力，缓解了合成过程中表面应力分布不均匀的问题；另外，制备方法中阴离子表面活性剂自身带负电，通过静电吸引作用，使表面一次颗粒结合更加紧密；此外，制备方法工艺简单且对设备的要求较低。
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