公开(公告)号：CN114015876B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202111113310.0

申请日：2021-09-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 于大伟 ,  李浩 ,  张磊 ,  赵建伟 ,  郭学益 ,  田庆华

IPC: C22B7/00 ,  C22B1/08 ,  C22B23/00 ,  C22B15/00 ,  C01G51/08 ,  C01G49/10 ,  C01G3/05

Abstract: 本发明公开了一种从铜钴合金中分离有价金属的方法，包括以下步骤：(1)将铜钴合金进行破碎和/或研磨，得到铜钴合金颗粒；(2)在含氯化氢气体的气氛下对所述铜钴合金颗粒进行焙烧，得到焙烧产物；(3)用水溶液将焙烧产物中的有价金属浸出。本发明采用氯化氢气氛焙烧铜钴合金，使合金中的杂质硅以SiCl4形式挥发，可有效处理高硅铜钴合金，相对于传统酸浸过程处理硅含量较高的铜钴合金，不会产生不利于后续分离的硅胶。

公开(公告)号：CN114015876A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111113310.0

申请日：2021-09-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 于大伟 ,  李浩 ,  张磊 ,  赵建伟 ,  郭学益 ,  田庆华

IPC: C22B7/00 ,  C22B1/08 ,  C22B23/00 ,  C22B15/00 ,  C01G51/08 ,  C01G49/10 ,  C01G3/05

Abstract: 本发明公开了一种从铜钴合金中分离有价金属的方法，包括以下步骤：(1)将铜钴合金进行破碎和/或研磨，得到铜钴合金颗粒；(2)在含氯化氢气体的气氛下对所述铜钴合金颗粒进行焙烧，得到焙烧产物；(3)用水溶液将焙烧产物中的有价金属浸出。本发明采用氯化氢气氛焙烧铜钴合金，使合金中的杂质硅以SiCl4形式挥发，可有效处理高硅铜钴合金，相对于传统酸浸过程处理硅含量较高的铜钴合金，不会产生不利于后续分离的硅胶。