RuxCr1-xO2双金属电催化材料及其制备和在酸性OER、PEM电解水制氢中的应用

    公开(公告)号:CN119465237A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411609861.X

    申请日:2024-11-12

    Abstract: 本发明属于电催化材料领域,具体涉及RuxCr1‑xO2双金属电催化材料的制备方法,将包含Ru源、Cr源、式1结构#imgabs0#调整剂、碱的原料溶液进行溶剂热反应,随后将溶剂热产物在300~500℃下进行煅烧处理,即得;其中,所述的Ru源、Cr源中的Ru/Cr摩尔比为x/1‑x;且所述的x为0.5~0.7;所述的原料溶液的pH在10以上。本发明还包括所述的制备方法制得的材料及其在OER催化中的应用。本发明制备方法简单,且过渡金属的使用使贵金属的用量变低,有效降低电催化剂的生产成本,该催化材料在电化学测试中表现出更低的反应过电位和更高的稳定性。

    一种中空ZnxCd1-xS固溶体纳米球的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113415821A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110612545.8

    申请日:2021-06-02

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的制备方法及其应用,其制备过程为,以二氧化硅纳米球作为模板,加入的Zn、Cd离子与氨水发生络合并在弱碱性条件下水解生成羟基络合物,其与硫脲反应,通过连续反应刻蚀首先形成ZnxCd1‑xS壳层生长于二氧化硅球的表面,随即加入强碱除去二氧化硅模板,获得中空ZnxCd1‑xS纳米球。本方法通过连续反应刻蚀法实现中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的一步合成,避免在多步碱性刻蚀条件下Zn元素的损失。该方法制备的ZnxCd1‑xS具高光解水产氢活性,其在可见光照下最高实现2.52mmolg‑1h‑1产氢效率。此外,该制备工艺具合成简单、反应条件温和、原料丰富且低廉等优势。

    Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用

    公开(公告)号:CN119318984A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202411879904.6

    申请日:2024-12-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明属于光催化产H2O2领域,具体涉及一种Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用,该材料制备步骤为:将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理,随后进行焙烧处理,得到氰基修饰g‑C3N4材料;再将氰基修饰g‑C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100‑500 mW的光照强度下进行光还原,制得所述的Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料;所述的原料A包含式1(#imgabs0#)、式2(#imgabs1#)中的至少一种;所述的原料B的化学式为MCl,其中,M为Na、K中的至少一种。本发明制得的材料能够意外地显著强化Pt、g‑C3N4复合效果,优化其光催化产H2O2的效果。

    Pt纳米线@PtxCuy催化材料及其制备和在质子交换膜燃料电池中的应用

    公开(公告)号:CN118263461A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410695643.6

    申请日:2024-05-31

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明属于电极材料领域,具体涉及一种Pt纳米线@PtxCuy催化材料,包括Pt纳米线基底,以及弥散分布在所述的Pt纳米线基底表面的PtxCuy纳米颗粒,且PtxCuy纳米颗粒和所述的Pt纳米线基底存在融合界面;所述的Pt纳米线基底的直径为2~5 nm;所述的PtxCuy纳米颗粒在Pt纳米线@PtxCuy催化材料中的含量为30~50Wt.%,且其中的x/y的比例为1~4:1~4。本发明还包括所述的材料的制备及其在质子交换膜燃料电池催化材料中的应用。本发明所述的工艺制备的材料具有优异的活性和稳定性。

    一种中空ZnxCd1-xS固溶体纳米球的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113415821B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202110612545.8

    申请日:2021-06-02

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的制备方法及其应用,其制备过程为,以二氧化硅纳米球作为模板,加入的Zn、Cd离子与氨水发生络合并在弱碱性条件下水解生成羟基络合物,其与硫脲反应,通过连续反应刻蚀首先形成ZnxCd1‑xS壳层生长于二氧化硅球的表面,随即加入强碱除去二氧化硅模板,获得中空ZnxCd1‑xS纳米球。本方法通过连续反应刻蚀法实现中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的一步合成,避免在多步碱性刻蚀条件下Zn元素的损失。该方法制备的ZnxCd1‑xS具高光解水产氢活性,其在可见光照下最高实现2.52mmolg‑1h‑1产氢效率。此外,该制备工艺具合成简单、反应条件温和、原料丰富且低廉等优势。

    Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用

    公开(公告)号:CN119318984B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411879904.6

    申请日:2024-12-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明属于光催化产H2O2领域,具体涉及一种Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用,该材料制备步骤为:将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理,随后进行焙烧处理,得到氰基修饰g‑C3N4材料;再将氰基修饰g‑C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100‑500 mW的光照强度下进行光还原,制得所述的Pt单原子/氰基修饰g‑C3N4材料;所述的原料A包含式1(#imgabs0#)、式2(#imgabs1#)中的至少一种;所述的原料B的化学式为MCl,其中,M为Na、K中的至少一种。本发明制得的材料能够意外地显著强化Pt、g‑C3N4复合效果,优化其光催化产H2O2的效果。

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