公开(公告)号：CN118866192A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410890001.1

申请日：2024-07-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 陈宁 ,  王宜宁 ,  阳春华 ,  桂卫华 ,  王接喜 ,  李天亦 ,  刘洪臻 ,  陈嘉瑶 ,  王志兴

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G06F30/27 ,  G06N3/006 ,  G01N23/2251 ,  G01N15/02

Abstract: 本发明公开了一种三元正极材料晶粒生长过程中晶粒圆度变化的模拟方法，属于三元正极材料技术领域。该三元正极材料晶粒生长过程中晶粒圆度变化的模拟方法，包括：S1、获取不同恒温温度初始时刻的SEM图像并作为元胞自动机的初始状态；S2、计算晶粒的生长速率并求取每时刻晶粒的生长距离，通过与元胞边长的比较确定元胞取向转变时刻；S3、计算元胞取向变换前后的晶界能差决定元胞取向的转变；S4、针对凸出和内凹的元胞作进一步转变；S5、根据晶粒生长速率、局部晶界曲率和最低能量原理设计元胞状态转换规则建立二维元胞自动机模型，模拟晶粒生长过程中的晶粒圆度变化。本发明提出的模拟方法成功地全面模拟了晶粒生长的圆度变化。