公开(公告)号：CN114645247B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210286724.1

申请日：2022-03-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 邹俭鹏 ,  詹汶峄 ,  汤磊 ,  韦鸿铭 ,  路峥 ,  李飞扬

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种形貌可控为纳米棒的二硒化铁纳米薄膜及其制备方法。本发明选用不锈钢为基底，利用射频磁控溅射技术，在不锈钢基底表面沉积MoSe2薄膜，MoSe2薄膜作为基体膜不参与反应，然后进行硒化热处理，在不锈钢基底表面得到二硒化铁纳米棒薄膜，大量细长的纳米棒相互交织、错落排列。本发明针对纳米棒的形貌控制高效又简单，制备周期短，成本低，可重复性好，对环境友好，适合工业化生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119371223A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310922841.7

申请日：2023-07-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 尹健 ,  汤磊 ,  汪帅 ,  熊翔 ,  张红波 ,  孙威 ,  王雅雷 ,  曾毅

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于热防护性材料设计与制备技术领域，具体涉及一种超细陶瓷粉体改性C/C‑SiC‑ZrC复合材料的制备方法和应用。所述复合材料由炭纤维、增碳层、SiC和ZrC基体和超细陶瓷相组成，所述增碳层包覆在炭纤维上，所述SiC、ZrC、超细陶瓷相构成的陶瓷相包覆在C基体上，其中SiC、ZrC为原位生成，超细陶瓷相均匀分布在由SiC和ZrC构成的陶瓷基体内部；所述超细陶瓷相是通过熔渗的方式直接引入所述复合材料中。其制备方法为包括按设计组分配取Si、Zr和超细陶瓷，通过熔渗工艺将配取得组分熔渗至C/C坯体上，得到优质的产品。本发明所设计和制备产品具有优异的耐烧蚀性能，特别适合用作热防护部件。

公开(公告)号：CN114645247A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210286724.1

申请日：2022-03-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 邹俭鹏 ,  詹汶峄 ,  汤磊 ,  韦鸿铭 ,  路峥 ,  李飞扬

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种形貌可控为纳米棒的二硒化铁纳米薄膜及其制备方法。本发明选用不锈钢为基底，利用射频磁控溅射技术，在不锈钢基底表面沉积MoSe2薄膜，MoSe2薄膜作为基体膜不参与反应，然后进行硒化热处理，在不锈钢基底表面得到二硒化铁纳米棒薄膜，大量细长的纳米棒相互交织、错落排列。本发明针对纳米棒的形貌控制高效又简单，制备周期短，成本低，可重复性好，对环境友好，适合工业化生产，具有广阔的应用前景。