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公开(公告)号：CN109721103A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910206530.4
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1。本发明以m面蓝宝石为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了 晶向生长的二氧化钼纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN109721103B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910206530.4
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1。本发明以m面蓝宝石为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了 晶向生长的二氧化钼纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN107963667B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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公开(公告)号：CN109205677A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811454026.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y30/00 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/17
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种一维硫化钼纳米带的制备方法，本发明分别对硫和氧化钼进行加热，在氮气流的载流作用下，硫蒸汽与氧化钼蒸汽接触，氧化钼蒸汽被硫蒸汽还原，在硫蒸汽含量少(即缺硫)的环境中形成气态的钼氧化物，这些气态的钼氧化物沉积形成MoOxS2-x，在硫蒸汽含量多(即富硫)的环境中，MoOxS2-x被进一步硫化形成硫化钼。实施例结果表明，本发明提供的方法能够制备得到硫化钼纳米带，而且本发明提供的方法耗时短，且在不使用催化剂的条件下即可完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109205677B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811454026.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种一维硫化钼纳米带的制备方法，本发明分别对硫和氧化钼进行加热，在氮气流的载流作用下，硫蒸汽与氧化钼蒸汽接触，氧化钼蒸汽被硫蒸汽还原，在硫蒸汽含量少(即缺硫)的环境中形成气态的钼氧化物，这些气态的钼氧化物沉积形成MoOxS2‑x，在硫蒸汽含量多(即富硫)的环境中，MoOxS2‑x被进一步硫化形成硫化钼。实施例结果表明，本发明提供的方法能够制备得到硫化钼纳米带，而且本发明提供的方法耗时短，且在不使用催化剂的条件下即可完成。
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公开(公告)号：CN110060929A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910338900.X
申请日：2019-04-25
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种MoSe2面内同质p-n结的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明将MoSe2场效应晶体管的部分沟道保护起来，然后进行紫外臭氧处理，暴露的沟道在紫外臭氧的强氧化作用下，MoSe2表层会形成高功函数的MoOx，导致电子从功函数较低的MoSe2转移到MoOx，因此暴露的MoSe2呈现出空穴导电，而保护的区域仍然是电子导电，从而使同一沟道中电子与空穴同时导电，得到MoSe2面内同质p-n结。实验结果表明，本发明所提供的方法制备得到的产品的整流特性以及双狄拉克点是p-n结典型的特征，表明成功制备了p-n结，且本发明所得MoSe2面内同质p-n结对光照有明显响应。
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公开(公告)号：CN109868505A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910206529.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN109868505B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910206529.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN107963667A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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