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公开(公告)号:CN110016554A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201910369442.6
申请日:2019-05-06
申请人: 中南大学
发明人: 王军 , 杨宝军 , 甘敏 , 方京华 , 张翼 , 张雁生 , 赵红波 , 杨聪仁 , 焦芬 , 房朝军 , 罗雯 , 黄草明 , 彭程 , 赵春晓 , 于世超 , 邬柏强 , 林墨 , 刘雅媛 , 王梦飞 , 李耀麟 , 张培文 , 谢添 , 李显元 , 刘学端 , 覃文庆 , 邱冠周
摘要: 本发明公布了一种黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法,属于生物冶金技术领域。在外加0.1-6g/L生物合成黄钾铁矾以及光强为4000Lux-12000Lux的可见光条件下利用嗜酸铁硫氧化细菌浸出半导体硫化矿物。显著提高半导体硫化矿物生物浸出效率。在可见光与黄钾铁矾联合作用下半导体硫化矿物浸出率比黑暗条件下不添加黄钾铁矾的对照组浸出率提高了33.5-35.7%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿物的浸出率,使得生物浸出技术在资源加工领域上的应用具有重大意义。
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公开(公告)号:CN110157906B
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201910417126.1
申请日:2019-05-20
申请人: 中南大学
发明人: 王军 , 赵春晓 , 杨宝军 , 赵红波 , 甘敏 , 方京华 , 张翼 , 谢建平 , 张雁生 , 杨聪仁 , 焦芬 , 房朝军 , 黄草明 , 彭程 , 于世超 , 邬柏强 , 林墨 , 高思涵 , 吴刚 , 李耀麟 , 张培文 , 谢添 , 李显元 , 刘学端 , 覃文庆 , 邱冠周
摘要: 本发明公布了一种镉离子和可见光协同促进半导体硫化矿生物浸出的方法,属于生物冶金技术领域。在外加不超过100mg/L镉离子以及可见光存在的条件下利用嗜酸氧化亚铁硫杆菌浸出半导体硫化矿,如黄铜矿,能显著提高黄铜矿生物浸出效率。在可见光与不超过100mg/L镉离子联合作用下黄铜矿浸出率比黑暗条件下不添加镉离子的对照组浸出率提高了7.0‑14.7%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿的浸出率,使得生物浸出技术在资源加工领域上的应用具有重大意义。
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公开(公告)号:CN110016554B
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201910369442.6
申请日:2019-05-06
申请人: 中南大学
发明人: 王军 , 杨宝军 , 甘敏 , 方京华 , 张翼 , 张雁生 , 赵红波 , 杨聪仁 , 焦芬 , 房朝军 , 罗雯 , 黄草明 , 彭程 , 赵春晓 , 于世超 , 邬柏强 , 林墨 , 刘雅媛 , 王梦飞 , 李耀麟 , 张培文 , 谢添 , 李显元 , 刘学端 , 覃文庆 , 邱冠周
摘要: 本发明公布了一种黄钾铁矾强化光催化半导体硫化矿物生物浸出的方法,属于生物冶金技术领域。在外加0.1‑6g/L生物合成黄钾铁矾以及光强为4000Lux‑12000Lux的可见光条件下利用嗜酸铁硫氧化细菌浸出半导体硫化矿物。显著提高半导体硫化矿物生物浸出效率。在可见光与黄钾铁矾联合作用下半导体硫化矿物浸出率比黑暗条件下不添加黄钾铁矾的对照组浸出率提高了33.5‑35.7%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿物的浸出率,使得生物浸出技术在资源加工领域上的应用具有重大意义。
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公开(公告)号:CN110157906A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910417126.1
申请日:2019-05-20
申请人: 中南大学
发明人: 王军 , 赵春晓 , 杨宝军 , 赵红波 , 甘敏 , 方京华 , 张翼 , 谢建平 , 张雁生 , 杨聪仁 , 焦芬 , 房朝军 , 黄草明 , 彭程 , 于世超 , 邬柏强 , 林墨 , 高思涵 , 吴刚 , 李耀麟 , 张培文 , 谢添 , 李显元 , 刘学端 , 覃文庆 , 邱冠周
摘要: 本发明公布了一种镉离子和可见光协同促进半导体硫化矿生物浸出的方法,属于生物冶金技术领域。在外加不超过100mg/L镉离子以及可见光存在的条件下利用嗜酸氧化亚铁硫杆菌浸出半导体硫化矿,如黄铜矿,能显著提高黄铜矿生物浸出效率。在可见光与不超过100mg/L镉离子联合作用下黄铜矿浸出率比黑暗条件下不添加镉离子的对照组浸出率提高了7.0-14.7%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿的浸出率,使得生物浸出技术在资源加工领域上的应用具有重大意义。
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公开(公告)号:CN101265530A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810031206.5
申请日:2008-05-06
申请人: 中南大学
IPC分类号: C22C1/04
摘要: 一种纳米团簇弥散强化铁基合金的制备方法,使用粒径为20~200μm的Fe-Cr-W-Ti-Y-O预合金粉末,采用模压进行成形,然后将压坯放入真空烧结炉内进行烧结成形,烧结工艺为1250~1350℃保温2h,真空度为0.1~0.01Pa,再将烧结样品加热到900~1200℃保温0.5~1h,然后进行锻造,最后将锻造的样品在真空炉中退火。本发明工艺简单,且不需要专用设备,各组成元素混合均匀,无偏析。与常规的机械合金化方法相比,制备过程无杂质引入,制备的铁基合金材料的致密度高,热加工后平均致密度可达98%以上,且通过热处理,合金中有细小的弥散强化相析出,使材料硬度达HV0.2300以上。
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