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公开(公告)号:CN117682635B
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202311601914.9
申请日:2023-11-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及电容去离子技术领域,特别是涉及一种NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料的制备方法及应用。该方法包括以下步骤:将镍盐、钴盐、柠檬酸钠和铁氰化钾通过共沉淀法制备NiCo‑PBA前驱体;将所述NiCo‑PBA前驱体通过化学刻蚀和水热合成的方式制备NiCoS‑PBA;本发明制备过程简单,易于大规模工业化制备。利用本发明方法制备得到的NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料作为CDI电极材料进行脱盐时具有高的脱盐能力。将所述NiCoS‑PBA与三聚氰胺混合后煅烧得到NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料。
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公开(公告)号:CN117682635A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311601914.9
申请日:2023-11-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及电容去离子技术领域,特别是涉及一种NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料的制备方法及应用。该方法包括以下步骤:将镍盐、钴盐、柠檬酸钠和铁氰化钾通过共沉淀法制备NiCo‑PBA前驱体;将所述NiCo‑PBA前驱体通过化学刻蚀和水热合成的方式制备NiCoS‑PBA;本发明制备过程简单,易于大规模工业化制备。利用本发明方法制备得到的NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料作为CDI电极材料进行脱盐时具有高的脱盐能力。将所述NiCoS‑PBA与三聚氰胺混合后煅烧得到NiCoS‑PBA/g‑C3N4复合材料。
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