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公开(公告)号：CN101575083B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910074776.7
申请日：2009-06-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测器领域，具体是一种微机械热电堆红外探测器。简化了制作工艺，提高了性能、成品率，制作步骤：①用LPCVD法在硅衬底双面淀积氮化硅薄膜；②光刻、刻蚀掉硅衬底正面的外围氮化硅薄膜；③用LPCVD法、光刻工艺制作若干两端分别位于氮化硅薄膜和硅衬底上的多晶硅条；④用溅射、光刻工艺制作若干同多晶硅条构成热电偶的铝条；⑤用PECVD法在硅衬底正面上淀积氧化硅薄膜；⑥用光刻工艺制作覆盖热电堆热结区的红外吸收层-碳化的光刻胶层；⑦用剥离工艺制作覆盖热电堆冷结区的金属反射层-金层；⑧将硅衬底背面腐蚀形成正四棱台状凹槽。本发明结构设计合理，制作工艺简单，探测器性能高，成品率高，易于实现，发展前景良好。
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公开(公告)号：CN101575083A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910074776.7
申请日：2009-06-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测器领域，具体是一种微机械热电堆红外探测器。简化了制作工艺，提高了性能、成品率，制作步骤：①用LPCVD法在硅衬底双面淀积氮化硅薄膜；②光刻、刻蚀掉硅衬底正面的外围氮化硅薄膜；③用LPCVD法、光刻工艺制作若干两端分别位于氮化硅薄膜和硅衬底上的多晶硅条；④用溅射、光刻工艺制作若干同多晶硅条构成热电偶的铝条；⑤用PECVD法在硅衬底正面上淀积氧化硅薄膜；⑥用光刻工艺制作覆盖热电堆热结区的红外吸收层－碳化的光刻胶层；⑦用剥离工艺制作覆盖热电堆冷结区的金属反射层－金层；⑧将硅衬底背面腐蚀形成正四棱台状凹槽。本发明结构设计合理，制作工艺简单，探测器性能高，成品率高，易于实现，发展前景良好。
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公开(公告)号：CN101303365A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810055267.5
申请日：2008-06-23
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/097 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及微机械电子技术领域，具体是一种高灵敏度的谐振式微加速度计。解决了传统基于应力改变的谐振式加速度计的测量灵敏度易受内部残余应力等因素影响的问题，该加速度计包括玻璃基底、质量块、两双端固定音叉谐振器，两谐振器并列/排设置，且敏感电容侧相对，敏感电容包含若干个一侧极板经连接梁与音叉梁固定的平板电容，平板电容的另一侧极板经支撑连接梁整体固定；质量块设置于两谐振器之间，质量块与其两侧谐振器之间分别设置有一组对称的微杠杆，质量块两侧的微杠杆相对于质量块对称，微杠杆一端与质量块固定，另一端与平板电容的支撑连接梁固定。本发明结构合理，体积小，灵敏度高，检测效果好，具有良好的发展前景。
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公开(公告)号：CN101303365B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810055267.5
申请日：2008-06-23
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/097 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及微机械电子技术领域，具体是一种高灵敏度的谐振式微加速度计。解决了传统基于应力改变的谐振式加速度计的测量灵敏度易受内部残余应力等因素影响的问题，该加速度计包括玻璃基底、质量块、两双端固定音叉谐振器，两谐振器并列/排设置，且敏感电容侧相对，敏感电容包含若干个一侧极板经连接梁与音叉梁固定的平板电容，平板电容的另一侧极板经支撑连接梁整体固定；质量块设置于两谐振器之间，质量块与其两侧谐振器之间分别设置有一组对称的微杠杆，质量块两侧的微杠杆相对于质量块对称，微杠杆一端与质量块固定，另一端与平板电容的支撑连接梁固定。本发明结构合理，体积小，灵敏度高，检测效果好，具有良好的发展前景。
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