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公开(公告)号：CN105371988B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510936409.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 中北大学
IPC: G01K13/02
Abstract: 本发明涉及高温气流的瞬态温度测量工具，具体是一种用于高温气流温度测量的环形薄膜传感器。本发明解决了现有瞬态温度测量工具测量精度的提高受到制约、测量误差较大的问题。用于高温气流温度测量的环形薄膜传感器，包括圆柱形基体、绝缘层、第一薄膜层、第二薄膜层、第一补偿线、第二补偿线、隔热护套；其中，绝缘层包裹于圆柱形基体的外侧面；第一薄膜层包裹于绝缘层的前部外侧面，第二薄膜层包裹于绝缘层的后部外侧面，第一薄膜层的后端与第二薄膜层的前端重叠构成传感器结点；第一补偿线的首端与第一薄膜层焊接固定，第二补偿线的首端与第二薄膜层焊接固定。本发明结适用于高温气流的瞬态温度测量。
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公开(公告)号：CN102201445A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110093843.7
申请日：2011-04-14
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开一种PSOI横向超结功率半导体器件，包括半导体本体、绝缘埋层、半导体本体上的栅以及电极，在绝缘埋层的上方设有超结结构，由交替分布的超结n区和超结p区构成，并与p型体区相连。在与超结垂直的方向上设有n型补偿区，n型补偿区与超结和绝缘埋层相连，并深入到衬底内。本发明可以有效抑制横向超结功率器件中存在的衬底辅助耗尽效应，提高器件的耐压。与常规的电荷补偿型横向超结器件相比，n型补偿区与超结垂直，可以更好地保持超结耐压特性，而且不会增加顶层硅的厚度。
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公开(公告)号：CN115078652A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210710210.4
申请日：2022-06-22
Applicant: 中北大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体浓度传感器的动态特性标定技术，具体是一种气体浓度传感器的动态特性标定装置。本发明解决了现有气体浓度传感器的动态特性标定方法标定结果准确性差的问题。一种气体浓度传感器的动态特性标定装置，包括储气腔体、外层套管、杯形端盖、环形磁性密封片、内层套管、环形支撑铁片、若干根助力弹簧、破膜尖头、气体浓度传感器、信号线、数据记录仪；其中，储气腔体的顶壁中央贯通开设有第I中心孔，且第I中心孔为螺纹孔；储气腔体的顶壁边缘贯穿固定有充气接嘴和气体浓度检测仪；外层套管的外侧面上端设有第I外螺纹。本发明适用于各种气体浓度传感器的动态特性标定，尤其适用于微型气体浓度传感器的动态特性标定。
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公开(公告)号：CN102637744A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210138951.6
申请日：2012-05-08
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件，具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构；绝缘埋层的上端面设有n型埋层；n型埋层的上端面设有p型外延层；p型体区和超结结构均设于p型外延层的上端面。本发明适于作为功率集成电路（PIC，PowerIntegratedCircuit）中的关键器件，并应用于电机控制、平板显示驱动、电脑外设控制等领域。
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公开(公告)号：CN105403329B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510735430.2
申请日：2015-11-03
Applicant: 中北大学
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明涉及温度传感器的响应时间标定技术，具体是一种温度传感器的响应时间标定装置。本发明解决了现有温度传感器的响应时间标定方法在标定小响应时间的温度传感器时标定精度低、无法得到可靠的响应时间、在火焰温度场环境下得到的响应时间准确性低的问题。一种温度传感器的响应时间标定装置，包括纵向直线导轨、带滑轮的滑块、竖向小挡板、竖向大挡板、快速吸附片、快速弹射装置、温度传感器、补偿导线、信号采集与处理集成电路、数据传输线、数据显示装置、火焰温度源。本发明适用于在各种环境下进行温度传感器的响应时间标定，尤其适用于在火焰温度场环境下进行温度传感器的响应时间标定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103051316A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210531755.5
申请日：2012-12-12
Applicant: 中北大学
IPC: H03K17/90 , H03K17/945
Abstract: 本发明涉及信号检测技术，具体是一种分布式测量中的同步触发系统。本发明解决了现有同步触发系统线路复杂、布线工作量大、测量节点布置灵活性差、同步精度低、以及适用范围有限的问题。分布式测量中的同步触发系统包括S/V信号转换电路、数控电流开关、电流环路、感应触发模块、以及分布式测量节点；S/V信号转换电路的信号输出端与数控电流开关的信号输入端连接；数控电流开关、感应触发模块均串接于电流环路上；感应触发模块的信号输出端与分布式测量节点的触发信号输入端连接。本发明适用于瞬态信号测量。
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公开(公告)号：CN112857650A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110084263.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 中国人民解放军63853部队 , 中北大学
IPC: G01L5/14
Abstract: 本发明涉及爆炸冲击波测试及毁伤评估技术，具体是一种爆炸环境下表面冲击波测试装置及评估方法。本发明解决了现有爆炸冲击波测试及毁伤评估方法测试结果及毁伤评估结果不准确的问题。一种爆炸环境下表面冲击波测试装置，包括密闭腔体、支撑立柱、柔性衬底、柔性覆盖层、四个压力传感器、无线数据记录仪、四根导线、计算机；其中，密闭腔体为圆柱形结构；支撑立柱垂直固定于密闭腔体的外底面中央；柔性衬底为条带状结构；柔性衬底箍设于密闭腔体的外侧面中部，且柔性衬底的两端缝接在一起；柔性覆盖层为条带状结构；柔性覆盖层箍设于柔性衬底的外侧面，且柔性覆盖层的两端均与柔性衬底的外侧面缝接在一起。本发明适用于爆炸冲击波测试及毁伤评估。
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公开(公告)号：CN103175621B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310041919.0
申请日：2013-02-02
Applicant: 中北大学
IPC: G01K7/04
Abstract: 本发明涉及火炮身管表面温度测试技术，具体是一种运动状态下的身管表面温度测试系统及方法。本发明解决了现有火炮身管表面温度测试方法无法完成火炮在运动状态下的身管表面温度测试的问题。一种运动状态下的身管表面温度测试系统包括温度传感器、微型无线测试装置、以及手持式控制显示终端；所述温度传感器包括热电偶、以及短引线；所述微型无线测试装置包括壳体、信号接口、状态指示灯、第一天线、信号调理模块、A/D转换模块、第一无线收发模块、FLASH存储模块、FPGA控制模块、以及电池。本发明适用于测试火炮在运动状态下的身管表面温度。
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公开(公告)号：CN103051316B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210531755.5
申请日：2012-12-12
Applicant: 中北大学
IPC: H03K17/90 , H03K17/945
Abstract: 本发明涉及信号检测技术，具体是一种分布式测量中的同步触发系统。本发明解决了现有同步触发系统线路复杂、布线工作量大、测量节点布置灵活性差、同步精度低、以及适用范围有限的问题。分布式测量中的同步触发系统包括S/V信号转换电路、数控电流开关、电流环路、感应触发模块、以及分布式测量节点；S/V信号转换电路的信号输出端与数控电流开关的信号输入端连接；数控电流开关、感应触发模块均串接于电流环路上；感应触发模块的信号输出端与分布式测量节点的触发信号输入端连接。本发明适用于瞬态信号测量。
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公开(公告)号：CN102637744B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210138951.6
申请日：2012-05-08
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件，具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构；绝缘埋层的上端面设有n型埋层；n型埋层的上端面设有p型外延层；p型体区和超结结构均设于p型外延层的上端面。本发明适于作为功率集成电路（PIC，PowerIntegratedCircuit）中的关键器件，并应用于电机控制、平板显示驱动、电脑外设控制等领域。
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