公开(公告)号：CN115101658A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210751516.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 中北大学

Inventor： 韩树棋 ,  毕开西 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  穆继亮 ,  梅林玉 ,  周思源 ,  付文潇 ,  牛耀凯 ,  栗倩男 ,  张帅 ,  张慧毅

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/22 ,  G01L1/16 ,  G01L9/08 ,  G06F30/20 ,  G06F111/14

Abstract: 本发明属于NEMS微压力敏传感设计领域，具体为基于挠曲电极化增强力电耦合机制的PZT基石墨烯复合压感薄膜结构，包括Si/SiO2基片，Si/SiO2基片上设有背腔，Si/SiO2基片正面溅射有pt/Ti的金属层，pt/Ti的金属层上面溅射有PZT铁电薄膜，PZT铁电薄膜上有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜两边溅射有金属电极，Si/SiO2基片背面有封装基板。本发明通过PZT铁电薄膜弯曲产生的极化电压对石墨烯薄膜进行调控，施加偏压给石墨烯薄膜，通过电路的输出电流间接表征石墨烯载流子的输运情况，进而表征石墨烯薄膜能带的变化，完成对PZT挠曲电极化调控石墨烯能带结构及电输运机制的探究，完成对高灵敏度力电耦合PZT基石墨烯复合压感薄膜结构的设计。

公开(公告)号：CN115655502B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211700537.X

申请日：2022-12-29

Applicant: 中北大学

Inventor： 丑修建 ,  韩树棋 ,  毕开西 ,  耿文平 ,  穆继亮 ,  梅林玉 ,  周思源 ,  付文潇 ,  牛耀凯 ,  栗倩男 ,  张帅 ,  张慧毅

IPC: G01K7/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及石墨烯温度传感器，具体为基于悬浮石墨烯薄膜压阻特性的温度传感器，包括Si作为下基底、SiO2作为上基底的基片，基片上刻出有空腔，SiO2上空腔的两边溅射有金电极，溅射好金电极的基片上转移带有PMMA保护层的石墨烯薄膜，金电极上键合引线后基片封装。本发明通过使用空腔悬浮石墨烯薄膜结构，在提高石墨烯薄膜迁移率的同时对空腔内气体形成密封，该结构可将环境温度变化转化为石墨烯薄膜的形变，进而利用石墨烯薄膜的压阻效应将形变转化为结构的输出电阻变化，从而有效避免了传统的石墨烯热传感结构中利用石墨烯热阻效应进行传感所带来的不稳定性，有效提高了石墨烯MEMS传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN115655502A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211700537.X

申请日：2022-12-29

Applicant: 中北大学

Inventor： 丑修建 ,  韩树棋 ,  毕开西 ,  耿文平 ,  穆继亮 ,  梅林玉 ,  周思源 ,  付文潇 ,  牛耀凯 ,  栗倩男 ,  张帅 ,  张慧毅

IPC: G01K7/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及石墨烯温度传感器，具体为基于悬浮石墨烯薄膜压阻特性的温度传感器，包括Si作为下基底、SiO2作为上基底的基片，基片上刻出有空腔，SiO2上空腔的两边溅射有金电极，溅射好金电极的基片上转移带有PMMA保护层的石墨烯薄膜，金电极上键合引线后基片封装。本发明通过使用空腔悬浮石墨烯薄膜结构，在提高石墨烯薄膜迁移率的同时对空腔内气体形成密封，该结构可将环境温度变化转化为石墨烯薄膜的形变，进而利用石墨烯薄膜的压阻效应将形变转化为结构的输出电阻变化，从而有效避免了传统的石墨烯热传感结构中利用石墨烯热阻效应进行传感所带来的不稳定性，有效提高了石墨烯MEMS传感器的灵敏度。