公开(公告)号：CN112857276A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110299261.8

申请日：2021-03-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 谭秋林 ,  杨子锋 ,  闫夏雯 ,  张磊 ,  熊继军

IPC: G01B17/04

Abstract: 本发明公开一种声表面波应变传感器及其制备方法，其中声表面波应变传感器包括基底，基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅，第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽。本发明的传感器结构能提高声表面波应变的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN112857276B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202110299261.8

申请日：2021-03-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 谭秋林 ,  杨子锋 ,  闫夏雯 ,  张磊 ,  熊继军

IPC: G01B17/04

Abstract: 本发明公开一种声表面波应变传感器及其制备方法，其中声表面波应变传感器包括基底，基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅，第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽。本发明的传感器结构能提高声表面波应变的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN113061838A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110285360.0

申请日：2021-03-18

Applicant: 中北大学

Inventor： 谭秋林 ,  杨子锋 ,  姚雪 ,  张磊 ,  熊继军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/28 ,  C23C14/58 ,  G01B21/32

Abstract: 本发明提供一种薄膜传感器及其制备方法，该薄膜传感器包括：沉积在金属构件基底上的过渡层；沉积在所述过渡层上的复合绝缘层；沉积在所述复合绝缘层上的应变栅；以及沉积在所述应变栅表面的复合保护层；所述应变栅用于应变测量。本发明将金属构件直接作为基底，在金属构件表面逐层沉积形成高绝缘、高介电常数、高稳定性的耐高温的复合绝缘膜层，以及具有良好抗氧化性能的复合保护层，从而有效提高了薄膜传感器的耐高温性能，使得形成的薄膜传感器能够适用于高于800℃的环境，解决了现有技术薄膜传感器只能适用于低于800℃环境的问题。