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公开(公告)号：CN108459040B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201810227008.X
申请日：2018-03-20
申请人： 中北大学
IPC分类号： G01N24/08
摘要： 本发明提供了一种基于金刚石NV色心的磁悬浮加速度计的差分检测方法，利用金刚石NV色心的高感特性，在磁场下，加入连续波和532nm激光，光核磁共振下，金刚石产生荧光，光电探测器下光信号转换电信号，示波器上产生的ODMR谱，永磁铁的运动会使两端的磁场发生变化，金刚石受到的磁场发生变化后，在示波器上产生的峰值会发生漂移，分别计算出两侧距离在静止状态下峰值间距的变化量，通过对变化量进行差分，消除误差，外部磁噪声变化导致的非线性误差，使得加速度更加准确，增加信噪比。
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公开(公告)号：CN111200429A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010041914.8
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 面向高频电路应用的抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决传统的抗电荷共享的D锁存器需耗费较多硬件、较大的功耗和面积、以及由于较多的敏感节点，导致严重影响加固性能的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20和12个PMOS晶体管P1至P12，仅仅需要32个晶体管构造D锁存器，降低了D锁存器的面积及功耗开销；且输入信号D可直接通过晶体管N20和P12构造的传输门传输到输出信号D的输出端，因此，传输延时也被降低。本发明适用于在高频电路中应用，特别适用于在航空航天、宇航飞行、核电站等具有核辐射效应中。
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公开(公告)号：CN111162771A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010042742.6
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 小型抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗电荷共享的D锁存器面积大的问题。本发明包括20个PMOS晶体管P1至P20和12个NMOS晶体管N1至N12；虽然节点共有7个，为X1、X2、X3、X4、X5、X6和Q，但是根据锁存的值，其敏感节点将是4个，本发明从翻转的物理本质出发，利用其翻转脉冲的本质来减少敏感节点的，这就导致使用晶体管数被大大的降低，从而使其面积也被减小。本发明适用于对面积和延迟具有特殊要求的应用中，如核电站中。
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公开(公告)号：CN111147064A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010041882.1
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/00 , H03K19/017
摘要： 面向高频电路应用的抗三节点翻转D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗三个节点翻转的D锁存器需要耗费较多硬件、功耗高、传输路径长、传输延迟大的问题。本发明包括34个NMOS晶体管N1至N34和16个PMOS晶体管P1至P16；本发明使用NMOS管串联堆栈的方式来进行构造，这种堆栈方式可有效降低阈值损失带来的漏电问题，实现三节点翻转快速恢复的保护。且一些节点采用就近连接的原则进行连接，这将导致连接的金属线较短且对称、版图面积小，使其具有较好的传播性能和较快的恢复时间。本发明主要适用于高频电路中。
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公开(公告)号：CN108844987A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810202400.9
申请日：2018-03-13
申请人： 中北大学
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石NV色心自旋磁共振效应的微位移测量系统，包括金刚石（1），永磁体（2），PCB天线（3），信号源（4），微波源（5），锁相放大器（6），数字示波器（7），光电探测器（8），激光器（9），二向色镜（10），物镜（11），平凸镜（12），滤光片（13）及位移台（14）。同时利用电子自旋效应对磁梯度场的高精度敏感机理，结合磁梯度场与微位移之间的关系，发明了一种应用金刚石氮空位色心的电子自旋敏感磁机理的微位移测量方法。
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公开(公告)号：CN108469447B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810227009.4
申请日：2018-03-20
申请人： 中北大学
IPC分类号： G01N24/10
摘要： 本发明公开了一种基基于微波调相谱技术的探针式电子自旋检测方法，包括如下步骤：（1）、将微波发生器信号输出端接入微波共振器，接着将信号通过悬臂梁接入纳米探针；（2）、打开微波源，探针尖端发射微波扫频信号，设置微波场频率范围，未放入样品时扫描将数据初始化后，将样品放置在载物台上；（3）、设置样品扫描区域及精确度后开始扫描，探针在扫描区域内进行高速移动，微波信号穿入样品内部，样品内部的电子吸收能量发生跃迁，信号返回探针并将反馈信号传送至数据采集端；（4）、根据采集端采集的信号分析数据，生成微波吸收分布图谱，从而判断样品中发生电子自旋共振的位置，进一步可以得出样品内部结构。
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公开(公告)号：CN111245423A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010041901.0
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 具有版图对称性的抗三节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有抗三节点翻转D锁存器需要耗费较多硬件、功耗高、面积大的问题。本发明包括44个NMOS晶体管N1至N44和20个PMOS晶体管P1至P20；晶体管N1至N16和晶体管P1至P8构成单元1，晶体管N17至N32和PMOS晶体管P9至P16构成单元2，且单元1和单元2在电路结构上互为镜像；本发明使用两个交叉连接的单元来实现对所有三个节点翻转的恢复。本发明主要适用于低功耗中的中低频电路。
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公开(公告)号：CN111162770A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010041892.5
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 抗三节点翻转的高速D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗三个节点翻转的D锁存器需要耗费较多硬件、功耗高、系统庞大及系统稳定性差的问题。本发明包括28个NMOS晶体管N1至N28和16个PMOS晶体管P1至P16，只需要很少的晶体管，实现对三个节点翻转的容错，有效的降低了面积和功耗开销，整个系统结构简单，稳定性强；同时，输入信号D的信息可以直接通过晶体管P16和N28来传输到输出锁存节点Q，极大的降低了传输时间。本发明主要应用于集成电路中。
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公开(公告)号：CN108459040A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810227008.X
申请日：2018-03-20
申请人： 中北大学
IPC分类号： G01N24/08
摘要： 本发明提供了一种基于金刚石NV色心的磁悬浮加速度计的差分检测方法，利用金刚石NV色心的高感特性，在磁场下，加入连续波和532nm激光，光核磁共振下，金刚石产生荧光，光电探测器下光信号转换电信号，示波器上产生的ODMR谱，永磁铁的运动会使两端的磁场发生变化，金刚石受到的磁场发生变化后，在示波器上产生的峰值会发生漂移，分别计算出两侧距离在静止状态下峰值间距的变化量，通过对变化量进行差分，消除误差，外部磁噪声变化导致的非线性误差，使得加速度更加准确，增加信噪比。
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公开(公告)号：CN111245424A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010042750.0
申请日：2020-01-15
申请人： 中北大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 面向低功耗应用的抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗双节点翻转的D锁存器需耗费较多晶体管、功耗大和敏感节点多，无法满足在低功耗下应用的问题。本发明仅仅使用了32个晶体管就可以实现对两个节点翻转的恢复容错，可有效降低版图面积和功耗；另外，本发明还采用PMOS串联堆栈的方式进行构造，这种串联堆栈的方式可有效降低电路的功耗。本发明主要应用于低功耗中低频电路中。
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