公开(公告)号：CN110767652A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911074967.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 中北大学

Inventor： 朱平 ,  李睿康 ,  李涛

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种具有自散热功能的惠斯通电桥结构及制造方法，在具有SOI晶圆上的惠斯通电桥结构的桥臂电阻和金属引线层上层压两层或多层Si3N4/FG、AlN/FG膜，形成层压膜图案，层压膜材料的热导率尽量与Si的标准热导率一致；去除惠斯通电桥中心区域的顶部硅层和埋氧层材料，形成一个挖空区域。去除惠斯通电桥下部的硅衬底层材料，形成一个挖空区域。分两步，分别在挖空区域沉积散热层，散热层材料的热导率大于Si的标准热导率。通过自散热，实现惠斯通电桥的物理降温，以解决现有技术中惠斯通电桥输出电压失调的问题。

公开(公告)号：CN110767652B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201911074967.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 中北大学

Inventor： 朱平 ,  李睿康 ,  李涛

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种具有自散热功能的惠斯通电桥结构及制造方法，在具有SOI晶圆上的惠斯通电桥结构的桥臂电阻和金属引线层上层压两层或多层Si3N4/FG、AlN/FG膜，形成层压膜图案，层压膜材料的热导率尽量与Si的标准热导率一致；去除惠斯通电桥中心区域的顶部硅层和埋氧层材料，形成一个挖空区域。去除惠斯通电桥下部的硅衬底层材料，形成一个挖空区域。分两步，分别在挖空区域沉积散热层，散热层材料的热导率大于Si的标准热导率。通过自散热，实现惠斯通电桥的物理降温，以解决现有技术中惠斯通电桥输出电压失调的问题。