公开(公告)号：CN118833774A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410857087.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 王艳红 ,  武京治 ,  李海军

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C12Q1/6869 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明属于纳米孔技术领域，具体涉及一种基于寻址电极独立制备多个纳米孔的方法，包括下列步骤：在硅晶片表面上化学气相沉积二氧化硅层；在二氧化硅层上沉积的氮化硅膜；在氮化硅膜上沉积寻址电极；在硅晶片背面蚀刻氮化硅窗口；将氮化硅芯片连接到PCB电路板上；将氮化硅芯片与PCB电路板安装在溶液池中间；设置阈值电流，当观测到纳米孔的漏电流达到阈值电流之后，将源表的施加电压降为0V；计算所制备纳米孔的孔径。本发明通过在寻址电极上施加负电压来克服这一限制，无需依赖氧化反应，从而显著增加了氮化硅膜上的传导效率。这种改进使得在更低的电压下即可实现氮化硅膜的击穿，进而实现了纳米孔的精确定位制备。

公开(公告)号：CN118854250A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410856759.3

申请日：2024-06-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 王艳红 ,  武京治 ,  李海军

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/06 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于纳米加工技术领域，具体涉及一种集成共面波导辅助固态纳米孔精确定位制备方法，包括下列步骤：制备金纳米缩窄电极；沉积有金纳米缩窄电极的氮化硅芯片，在乙醇溶液中清洗去除有机物；对纳米孔进行定位；施加偏置电压VTM在金纳米缩窄电极上；通过Labview设计的软件根据所输入的目标孔径计算出所对应的阈值电流I0，并根据源表测量到的漏电流I；通过比较漏电流与阈值电流之间的大小，判断有无达到目标孔径。本发明通过往氮化硅膜上溅射金属纳米缩窄电极上施加一定的横向电压，降低了薄膜上纳米缩窄处的击穿电压，与此同时通过labview设计的程序进行纳米孔的可控制备。本发明的制备方法操作简单、自动化、成本低，且纳米孔位置可精确控制。

公开(公告)号：CN118837323A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410868006.4

申请日：2024-07-01

Applicant: 中北大学

Inventor： 武京治 ,  王艳红 ,  李海军

IPC: G01N21/3581 ,  G01N27/447

Abstract: 本发明属于分子传感技术领域，具体涉及一种固态纳米孔结合太赫兹共面波导传感方法，包括下列步骤：将沉积有太赫兹共面波导的氮化硅芯片安装在溶液池中；将电磁波引入太赫兹共面波导结合固态纳米孔DNA分子检测系统；将电解质溶液注入到纳米孔两侧的溶液池中；观测离子电流是否稳定；加入DNA分子样品，施加电压驱动DNA分子通过固态纳米孔，结合DNA分子过孔时的离子电流变化与DNA分子在太赫兹波作用下的振动谱来分辨DNA分子。本发明设计太赫兹共面波导‑固态纳米孔结构，发挥固态纳米孔的高通量检测和太赫兹单碱基共振优势，利用DNA序列过孔电流信号和DNA单碱基太赫兹特征谱线融合，实现DNA序列单碱基分辨率的检测技术。