公开(公告)号：CN110706981A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910999781.2

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 李强 ,  张世义 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  朱光州

IPC: H01H59/00 ,  H01H43/04 ,  H01P1/10 ,  H01P1/12

Abstract: 本发明属于延时器技术领域，具体涉及一种结合单刀四掷开关的射频MEMS四路蛇形延时器，包括衬底、上电极、信号线、延时线、地线、锚点、触点、下电极，所述信号线、下电极、延时线、地线均固定在衬底上，所述信号线包括第一信号线和第二信号线，所述上电极的一端通过锚点固定在第一信号线上，所述下电极的一端固定有触点，所述上电极的另一端设置在触点的正上方，所述下电极的另一端通过第二信号线与延时线级联，所述地线至少有两条，所述地线位于信号线和延时线的两侧。本发明产生效延时信号时具有延时量大，插入损耗小，每位递变误差小，可重构，体积小等优点。本发明用于信号的延时。

公开(公告)号：CN110713169B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN201911000222.2

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 吴倩楠 ,  高跃升 ,  李孟委 ,  李强 ,  朱光州

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

Abstract: 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。

公开(公告)号：CN110706874B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910999771.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 吴倩楠 ,  朱光州 ,  李孟委 ,  李强 ,  张世义

IPC: H01C17/12 ,  H01C17/14 ,  H01C7/00 ,  H01C1/16 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。

公开(公告)号：CN110713169A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911000222.2

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 李强 ,  高跃升 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  朱光州

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

Abstract: 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。

公开(公告)号：CN110706874A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910999771.9

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 李强 ,  朱光州 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  张世义

IPC: H01C17/12 ,  H01C17/14 ,  H01C7/00 ,  H01C1/16 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。

公开(公告)号：CN110690566A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911000223.7

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 李强 ,  曹钎龙 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  朱光州

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q3/01

Abstract: 本发明属于微带天线技术领域，具体涉及一种基于单刀单掷开关的方向图可重构微带天线，包括矩形主贴片、副贴片、介质基板硅片、阻抗变阻器、50欧姆电线、单刀单掷开关，所述矩形主贴片和副贴片设置在介质基板硅片的上表面，所述矩形主贴片通过阻抗变阻器连接有50欧姆电线，所述副贴片包括第一副贴片和第二副贴片，所述单刀单掷开关包括第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关，所述第一副贴片和第二副贴片分别通过第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关与矩形主贴片连接，所述第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关均连接有直流偏置线。本发明能够实现35GHz的方向图可重构，增益大，相对带宽较宽。本发明适用于微带天线的方向图可重构。