公开(公告)号：CN112919405A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110108281.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 王俊强 ,  曹钎龙 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  余建刚

IPC: B81C1/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。

公开(公告)号：CN110690566A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911000223.7

申请日：2019-10-21

Applicant: 中北大学

Inventor： 李强 ,  曹钎龙 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  朱光州

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q3/01

Abstract: 本发明属于微带天线技术领域，具体涉及一种基于单刀单掷开关的方向图可重构微带天线，包括矩形主贴片、副贴片、介质基板硅片、阻抗变阻器、50欧姆电线、单刀单掷开关，所述矩形主贴片和副贴片设置在介质基板硅片的上表面，所述矩形主贴片通过阻抗变阻器连接有50欧姆电线，所述副贴片包括第一副贴片和第二副贴片，所述单刀单掷开关包括第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关，所述第一副贴片和第二副贴片分别通过第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关与矩形主贴片连接，所述第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关均连接有直流偏置线。本发明能够实现35GHz的方向图可重构，增益大，相对带宽较宽。本发明适用于微带天线的方向图可重构。

公开(公告)号：CN112919405B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202110108281.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 中北大学 ,  南通高等研究院

Inventor： 王俊强 ,  曹钎龙 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  余建刚

IPC: B81C1/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。