公开(公告)号：CN115159862B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202210938708.6

申请日：2022-08-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 韩小平 ,  王志元 ,  张肖赫 ,  刘汉涛 ,  张宗胜

IPC: C03C17/36 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及属于阻变存储器领域，具体涉及一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法；本发明利用水热原位生长的方法，得到了纯晶金红石相TiO2薄膜，并利用紫外光辐照改变了其氧空位浓度，极大地改善了金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能。本发明的制备方法简单易操作，制备得到的金红石相TiO2薄膜形貌均匀、连续致密；通过紫外光辐照后，金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能改善显著。本发明的方法对改善阻变存储器性能具有非常重要的意义。

公开(公告)号：CN115159862A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210938708.6

申请日：2022-08-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 韩小平 ,  王志元 ,  张肖赫 ,  刘汉涛 ,  张宗胜

IPC: C03C17/36 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明涉及属于阻变存储器领域，具体涉及一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法；本发明利用水热原位生长的方法，得到了纯晶金红石相TiO2薄膜，并利用紫外光辐照改变了其氧空位浓度，极大地改善了金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能。本发明的制备方法简单易操作，制备得到的金红石相TiO2薄膜形貌均匀、连续致密；通过紫外光辐照后，金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能改善显著。本发明的方法对改善阻变存储器性能具有非常重要的意义。