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公开(公告)号:CN119509787A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411513715.7
申请日:2024-10-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种硅压阻式压力传感器的芯片设计方法及系统,包括构建硅压阻式压力传感器的设计参数集;根据预设仿真软件得到所述设计参数集对应的性能参数集;根据所述设计参数集和所述性能参数集构建数值设计库;根据所述数值设计库建立基于Bi‑GRU神经网络双向数值设计模型。该方法或系统能够通过目标性能参数来反向实现结构参数和压阻的主动设计以及通过设计参数来正向获得压力芯片的性能参数,无需多次仿真计算就可以给出结果,大大提高了设计效率。
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公开(公告)号:CN119509751A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411513709.1
申请日:2024-10-28
Applicant: 中北大学
IPC: G01L1/18 , G01L1/26 , G01D3/028 , G06F18/214 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器的温度补偿方法及系统,结合硬件和神经网络的复合方法可以提高传感器的温度补偿精度,提高测量的准确性;且神经网络能够处理复杂的非线性关系,更准确地建模传感器的温度补偿特性。除此之外,将神经网络部署到FPGA上,由于FPGA的并行计算优势,可以提高算法的执行速度;采用反馈机制将传感器输出作为新的训练数据,用于调节神经网络模型的参数,能够进一步优化神经网络模型性能来适应传感器新的工作环境。
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