公开(公告)号：CN118984816A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202380030117.1

申请日：2023-03-23

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 辻孝辅 ,  铃木绍太 ,  黑木崇志

IPC分类号： C03C8/16 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及一种TOPCon型太阳能电池电极用导电性铝膏组合物，其含有铝‑硅合金粉末、有机载体及玻璃粉末，并满足下述(1)及(2)：(1)所述铝‑硅合金粉末的硅浓度为30质量%~40质量%；(2)所述玻璃粉末含有第一玻璃粉末与第二玻璃粉末，所述第一玻璃粉末以氧化物摩尔%表述含有45~71%的PbO、5~35%的B2O3、0.1~25.0%的SiO2，且设定为含有x%的所述B2O3、y%的所述SiO2、z%的所述PbO时，[(x+y)/z]的值为0.40~1.00，所述第二玻璃粉末以氧化物摩尔%表述含有35.0~55.0%的B2O3、5.0~10.0%的SiO2、1.0~20.0%的BaO、5.0~25.0%的CaO、3.0~30.0%的K2O，且实质上不含PbO。

公开(公告)号：CN108028187B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201680055095.4

申请日：2016-09-16

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太 ,  菊地健 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L21/20

摘要： 本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。

公开(公告)号：CN112028494B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010488206.9

申请日：2020-06-02

申请人： AGC株式会社 ,  东洋铝株式会社

发明人： 中北要佑 ,  柏田阳平 ,  马尔万·德姆林 ,  铃木绍太 ,  黑木崇志

IPC分类号： C03C12/00 ,  C03C3/064 ,  C03C3/14 ,  H01B1/16

摘要： 本发明涉及玻璃组合物、玻璃组合物的制造方法、导电浆料以及太阳能电池。本发明的目的在于提供一种玻璃组合物，所述玻璃组合物通过将导电性金属粉末和有机载体混合并进行浆料化，能够得到烧穿性高、而且不会使半导体基板劣化的导电浆料。以氧化物基准的摩尔％表示，所述玻璃组合物含有：3％以上且19％以下的Bi2O3、20％以上且70％以下的B2O3、1％以上且30％以下的SiO2、3％以上且20％以下的K2O、3％以上且20％以下的CaO、和1％以上且20％以下的BaO，并且所述玻璃组合物实质上不包含PbO和CuO。

公开(公告)号：CN108022672B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201711057979.6

申请日：2017-11-01

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 马尔万·达姆林 ,  中原正博 ,  铃木绍太 ,  森下直哉

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供一种膏状组合物，其可形成对PERC型太阳能电池单元等太阳能电池单元带来高转换效率及高短路电流值的电极。该膏状组合物至少含有铝颗粒及铝‑硅合金颗粒中的至少一种金属颗粒、玻璃粉末及有机媒介物，通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布曲线中，金属颗粒的最小粒径Dmin为1.5μm以上2.0μm以下，粒度分布曲线中，对应于50％点的中位粒径(D50)为4.0μm以上8.0μm以下，式(1)表示的D的值为0.7以上，D＝D50/(D90‑D10) (1)式(1)中，D50为中位粒径，D90为粒度分布曲线中对应于90％点的粒径，D10为粒度分布曲线中对应于10％点的粒径。

公开(公告)号：CN108022672A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711057979.6

申请日：2017-11-01

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 马尔万·达姆林 ,  中原正博 ,  铃木绍太 ,  森下直哉

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供一种膏状组合物，其可形成对PERC型太阳能电池单元等太阳能电池单元带来高转换效率及高短路电流值的电极。该膏状组合物至少含有铝颗粒及铝‑硅合金颗粒中的至少一种金属颗粒、玻璃粉末及有机媒介物，通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布曲线中，金属颗粒的最小粒径Dmin为1.5μm以上2.0μm以下，粒度分布曲线中，对应于50％点的中位粒径(D50)为4.0μm以上8.0μm以下，式(1)表示的D的值为0.7以上，D＝D50/(D90‑D10) (1)式(1)中，D50为中位粒径，D90为粒度分布曲线中对应于90％点的粒径，D10为粒度分布曲线中对应于10％点的粒径。

公开(公告)号：CN113597682A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202080020891.0

申请日：2020-03-13

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 铃木绍太 ,  马尔万·达姆林 ,  山口升 ,  铃木英夫

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供一种背接触型太阳能电池单元的制造方法，该方法能够以比现有的制造方法更少的工序数进行实施。本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法，其依次具有以下工序：通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火，在结晶硅基板的背面，部分形成n+层(20)的工序(A)；在所述工序(A)中得到的具有所述n+层(20)的所述结晶硅基板(10)的两面形成钝化膜(40)的工序(B)；及，将形成在所述结晶硅基板(10)的背面侧的所述钝化膜(40)中直接覆盖了所述结晶硅基板(10)的区域的一部分或全部去除，在露出的所述结晶硅基板(50)上形成一个或多个铝电极(60B)的工序(C)。

公开(公告)号：CN112028494A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010488206.9

申请日：2020-06-02

申请人： AGC株式会社 ,  东洋铝株式会社

发明人： 中北要佑 ,  柏田阳平 ,  马尔万·德姆林 ,  铃木绍太 ,  黑木崇志

IPC分类号： C03C12/00 ,  C03C3/064 ,  C03C3/14 ,  H01B1/16

摘要： 本发明涉及玻璃组合物、玻璃组合物的制造方法、导电浆料以及太阳能电池。本发明的目的在于提供一种玻璃组合物，所述玻璃组合物通过将导电性金属粉末和有机载体混合并进行浆料化，能够得到烧穿性高、而且不会使半导体基板劣化的导电浆料。以氧化物基准的摩尔％表示，所述玻璃组合物含有：3％以上且19％以下的Bi2O3、20％以上且70％以下的B2O3、1％以上且30％以下的SiO2、3％以上且20％以下的K2O、3％以上且20％以下的CaO、和1％以上且20％以下的BaO，并且所述玻璃组合物实质上不包含PbO和CuO。

公开(公告)号：CN117083695A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280025117.8

申请日：2022-01-26

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 本发明提供一种能够安全且容易地在锗基板上形成锗化合物层、能够形成均匀的锗化合物层的糊料组合物。一种糊料组合物，其用于形成锗化合物层，所述糊料组合物的特征在于，其含有(A)锡、以及(B)选自由硅及铝组成的组中的至少一种金属，相对于100质量份的所述(A)锡，所述(B)选自由硅及铝组成的组中的至少一种金属的含量为1质量份以上且15000质量份以下。

公开(公告)号：CN110462845B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201880020513.5

申请日：2018-03-13

申请人： 东洋铝株式会社(JP)

发明人： 马尔万·达姆林 ,  中原正博 ,  铃木绍太 ,  森下直哉

IPC分类号： H01L31/0224 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物，将其适用于钝化膜的开口部的直径为100μm以下、开口部的总面积为结晶类太阳能电池单元的面积的0.5～5％的结晶类太阳能电池单元时，能够实现优异的转换效率，同时能够抑制烧成后在电极层界面产生孔隙，并能够进一步抑制静态机械负荷试验后的转换效率的降低率。具体而言，本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物，其用于对具有设置了开口部的钝化膜的结晶类太阳能电池单元形成p+层的用途，且含有玻璃粉末、有机载体及导电性材料，其特征在于，(1)所述开口部的直径为100μm以下，所述开口部的总面积为所述结晶类太阳能电池单元的面积的0.5～5％，(2)所述导电性材料含有铝粉末以及具有长径为5μm以下的硅的初晶的铝‑硅合金粉末。

公开(公告)号：CN107924824B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201680045360.0

申请日：2016-09-27

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 马尔万·达姆林 ,  铃木绍太 ,  菊地健 ,  中原正博 ,  森下直哉

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01B1/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。