公开(公告)号：CN113785405A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080020684.5

申请日：2020-03-13

申请人： 东洋铝株式会社 ,  株式会社爱发科

发明人： 铃木绍太 ,  马尔万·达姆林 ,  山口升 ,  铃木英夫

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 提供背接触型太阳能电池单元的制造方法，能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法，依次有：在结晶硅基板(10)背面形成氧化膜(20)的工序(A)；在所述氧化膜(20)的暴露面形成硅薄膜层(30A)的工序(B)；在所述硅薄膜层(30A)以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层(40)的工序(C)；在经所述工序(C)所得具有所述氧化膜(20)、所述硅薄膜层(30B)及所述n+层(40)的所述结晶硅基板(10)两面形成钝化膜(50)的工序(D)；将形成于所述结晶硅基板(10)背面侧的所述钝化膜(50)的未覆盖所述n+层(40)的区域局部去除，在暴露的所述硅薄膜层(30B)形成一或多个铝电极(60B)的工序(E)。

公开(公告)号：CN113597682A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202080020891.0

申请日：2020-03-13

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 铃木绍太 ,  马尔万·达姆林 ,  山口升 ,  铃木英夫

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供一种背接触型太阳能电池单元的制造方法，该方法能够以比现有的制造方法更少的工序数进行实施。本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法，其依次具有以下工序：通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火，在结晶硅基板的背面，部分形成n+层(20)的工序(A)；在所述工序(A)中得到的具有所述n+层(20)的所述结晶硅基板(10)的两面形成钝化膜(40)的工序(B)；及，将形成在所述结晶硅基板(10)的背面侧的所述钝化膜(40)中直接覆盖了所述结晶硅基板(10)的区域的一部分或全部去除，在露出的所述结晶硅基板(50)上形成一个或多个铝电极(60B)的工序(C)。