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公开(公告)号：CN1298966A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN00137277.7
申请日：2000-12-06
Applicant: 东洋纺绩株式会社
Abstract: 一种残留BB—PBZ单体含量不超过0.010%重量的聚吲哚,它是通式(Ⅰ)的AA—PBZ单体和式(Ⅱ)的BB—PBZ单体的脱水缩聚反应得到的,式Ⅰ中Ar是四价的芳族有机残基,X是O、S或NH,式Ⅱ中Z是任选地被取代的二价芳族有机残基,W是羧基或从羧基衍生的基团,这种基团对AA—PBZ单体中的－XH是反应性的。因为聚吲哚中残留BB－PBZ单体含量不超过0.010%重量,所以可在制备过程中高速稳定地制备具有小单丝旦数的聚吲哚的纤维而不会受到断线的损害。
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公开(公告)号：CN1180146C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN00137277.7
申请日：2000-12-06
Applicant: 东洋纺绩株式会社
Abstract: 一种残留BB-聚吲哚单体含量为0.001-0.004%重量的聚吲哚，它是通过式(I)的AA-聚吲哚单体和式(II)的BB-聚吲哚单体的脱水缩聚反应得到的，式I中Ar是四价苯基，X是O、S或NH，式II中Z是二价芳族有机残基，W是羧基、羧酸酯基或碳酰卤基团，这种基团对AA-PBZ单体中的-XH是反应性的。因为聚吲哚中残留BB-PBZ单体含量为0.001-0.004%重量，所以可在制备过程中高速稳定地制备具有小单丝旦数的聚吲哚纤维，而不会受到断线的损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1165517C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00137193.2
申请日：2000-12-17
Applicant: 东洋纺绩株式会社
IPC: C07C215/80 , C07C213/08 , C07C323/34 , C07C319/02
CPC classification number: C08G75/32 , C07C51/412 , C07C51/43 , C07C215/80 , C08G73/22 , C07C63/34 , C07C63/26 , C07C63/333 , C07C63/16
Abstract: 本发明提供具有如下式(I)的芳族二胺/芳族二羧酸盐NH2-Ar1·NH2·HOOC-Ar2-COOH(I)其中每个符号的定义如说明书，它是平均直径为5-100μm和白度不少于75的颗粒形式。此盐具有高聚合性和更可取是具有优良的存储稳定性。因此，它能优选用于制造具有高强度，高弹性模数和高耐热性的薄膜和纤维的聚氮茚的制备中。
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公开(公告)号：CN1148342C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN98120395.7
申请日：1998-09-24
Applicant: 东洋纺绩株式会社
IPC: C07C215/80 , C08G73/22 , C08G73/06
Abstract: 在储藏中稳定DAR的方法，包括在具有不低于-0.20V和不高于0.34V的标准氧化还原电势的还原剂存在下储藏DAR，还原剂与DAR的比例为不低于100ppm和不高于10，000ppm。本发明提高了DAR的储藏稳定性，使DAR易于处理和长期储藏。这样，能容易地制得高质量的聚合物PBO，本发明非常有助于工业领域。
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公开(公告)号：CN1302794A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00137193.2
申请日：2000-12-17
Applicant: 东洋纺绩株式会社
IPC: C07C215/80 , C07C213/08 , C07C323/34 , C07C319/02
CPC classification number: C08G75/32 , C07C51/412 , C07C51/43 , C07C215/80 , C08G73/22 , C07C63/34 , C07C63/26 , C07C63/333 , C07C63/16
Abstract: 本发明提供具有如下式(I)的芳族二胺/芳族二羧酸盐:NH2－Ar1·NH2·HOOC－Ar2－COOH(I),其中每个符号的定义如说明书,它是平均直径为5—100μm和白度不少于75的颗粒形式。此盐具有高聚合性和更可取是具有优良的存储稳定性。因此,它能优选用于制造具有高强度,高弹性模数和高耐热性的薄膜和纤维的聚氮茚的制备中。
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公开(公告)号：CN1248574A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN98120395.7
申请日：1998-09-24
Applicant: 东洋纺绩株式会社
IPC: C07C215/80 , C08G73/22 , C08G73/06
Abstract: 在储藏中稳定DAR的方法,包括在具有不低于－0.20V和不高于0.34V的标准氧化还原电势的还原剂存在下储藏DAR,还原剂与DAR的比例为不低于100ppm和不高于10,000ppm。本发明提高了DAR的储藏稳定性,使DAR易于处理和长期储藏。这样,能容易地制得高质量的聚合物PBO,本发明非常有助于工业领域。
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