-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101511744B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
-
公开(公告)号：CN101511744A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10－10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
-
公开(公告)号：CN100408497C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子%以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
-
公开(公告)号：CN1461740A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子％以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
-
公开(公告)号：CN1745190A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003020.9
申请日：2004-01-26
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C4/10
CPC classification number: C03C17/04 , C03C3/062 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/095 , C03C8/02 , C03C15/00 , C03C17/002 , C03C17/007 , C03C17/3417 , C03C19/00 , C03C2217/78 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23D5/04 , Y02T50/67
Abstract: 用于CVD装置、等离子体处理装置等的部件通过与腐蚀性气体反应或者用等离子体蚀刻而消耗，因此导致例如由于颗粒的产生而污染制品和生产率下降的问题。耐受腐蚀性气体和等离子体的玻璃的耐热强度差，因此应用范围有限。包含其上涂覆含有选自2a族、3a族和4a族中的至少一种元素的耐蚀玻璃、的玻璃喷涂层的高耐热基底、尤其是涂覆硅酸铝或硅酸锆喷涂层的高耐热基底的部件具有对腐蚀性气体和等离子体高耐蚀性以及具有高耐热强度，并且因此产生较少的颗粒。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.021 seconds)
