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发明公开
一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法无效

公开(公告)号：CN104104497A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410339623.1

申请日：2014-07-17

Applicant: 东南大学苏州研究院

Inventor： 蔡士琦 , 孙晓红 , 田婷 , 张晓东

IPC: H04L9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法，所述混沌电路包括：HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；电流源，连接HBT的发射极。具体的设计方法包括步骤：建立电路的数学模型；计算具有寄生电容的电路状态方程；提取状态参数和控制参数；模型仿真。本发明采用用寄生电容较小的砷化镓工艺HBT作为混沌信号源中的增益元件，减小寄生电容对混沌电路工作状态的影响；在电路中加入了射级跟随器，减少外界微扰对电路状态的影响；电流源用镜像电流源构成，提高了电路的稳定性；单片微波集成电路具有电路损耗小、频带宽、动态范围大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。

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