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公开(公告)号：CN104104497A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410339623.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法，所述混沌电路包括：HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；电流源，连接HBT的发射极。具体的设计方法包括步骤：建立电路的数学模型；计算具有寄生电容的电路状态方程；提取状态参数和控制参数；模型仿真。本发明采用用寄生电容较小的砷化镓工艺HBT作为混沌信号源中的增益元件，减小寄生电容对混沌电路工作状态的影响；在电路中加入了射级跟随器，减少外界微扰对电路状态的影响；电流源用镜像电流源构成，提高了电路的稳定性；单片微波集成电路具有电路损耗小、频带宽、动态范围大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。
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公开(公告)号：CN104022741A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410266290.4
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明公开了一种功率附加效率提高的伪差分功率放大器，包括多个并联的晶体管，所述晶体管的集电极连接集电极偏置电路，所述晶体管的基极连接基极偏置电路，所述晶体管的发射极连接不同阻值的镇流电阻并接地，所述晶体管的放大电路完全对称。利用了晶体管动态的逐渐开启方式，选择不同阻值的镇流电阻时，可以使在小功率输入时多数晶体管不导通，并随着输入功率的增加，由于基极的自偏置电压，使得导通的晶体管数目增加。由于在低功率时减少了导通晶体管的数目，从而提高了伪差分功率放大器的功率附加效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009721A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410266438.4
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种线性度和效率提高的推挽式功率放大器，第一晶体管与第二晶体管组成第一NPN-NPN推挽放大电路，第三晶体管与第四晶体管组成第二NPN-NPN推挽放大电路，所述第一晶体管的基极与所述第四晶体管的基极连接，所述第三晶体管的基极与所述第二晶体管的基极连接。此发明提供的电路是基于HBT工艺的NPN-NPN推挽结构差分电路结构，该电路兼顾推挽的效率优势与差分结构的线性优势，有效的兼顾了电路的效率与线性度，在输入端可以连接有源分相器进一步改善电路的线性度，该电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN104009720A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410266407.9
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明公开了一种效率提高的功率放大器，包括内匹配网络和多组并联的功率单元，所述功率单元包括多个并联的晶体管，所述晶体管的发射极通过阻值相同的镇流电阻接地，各组功率单元的基级和集电极分别共用一个基级偏置电路和一个集电极偏置电路，每组功率单元的镇流电阻阻值不同。此发明提供的电路通过不同功率单元连接不同的镇流电阻实现自适应概念控制不同功率单元的开关，功率单元之间通过传输线就可以实现内匹配，使得每个功率单元从输入端看进去一致，晶体管性能得到最大发挥，提高功率附加效率。电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN203968062U
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201420319105.9
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H03F1/02
Abstract: 本实用新型公开了一种功率附加效率提高的伪差分功率放大器，包括多个并联的晶体管，所述晶体管的集电极连接集电极偏置电路，所述晶体管的基极连接基极偏置电路，所述晶体管的发射极连接不同阻值的镇流电阻并接地，所述晶体管的放大电路完全对称。利用了晶体管动态的逐渐开启方式，选择不同阻值的镇流电阻时，可以使在小功率输入时多数晶体管不导通，并随着输入功率的增加，由于基极的自偏置电压，使得导通的晶体管数目增加。由于在低功率时减少了导通晶体管的数目，从而提高了伪差分功率放大器的功率附加效率。
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公开(公告)号：CN203968066U
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201420318794.1
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H03F3/20
Abstract: 本实用新型公开了一种效率提高的功率放大器，包括内匹配网络和多组并联的功率单元，所述功率单元包括多个并联的晶体管，所述晶体管的发射极通过阻值相同的镇流电阻接地，各组功率单元的基级和集电极分别共用一个基级偏置电路和一个集电极偏置电路，每组功率单元的镇流电阻阻值不同。此实用新型提供的电路通过不同功率单元连接不同的镇流电阻实现自适应概念控制不同功率单元的开关，功率单元之间通过传输线就可以实现内匹配，使得每个功率单元从输入端看进去一致，晶体管性能得到最大发挥，提高功率附加效率。电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN203968070U
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201420318938.3
申请日：2014-06-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种线性度和效率提高的推挽式功率放大器，第一晶体管与第二晶体管组成第一NPN-NPN推挽放大电路，第三晶体管与第四晶体管组成第二NPN-NPN推挽放大电路，所述第一晶体管的基极与所述第四晶体管的基极连接，所述第三晶体管的基极与所述第二晶体管的基极连接。此实用新型提供的电路是基于HBT工艺的NPN-NPN推挽结构差分电路结构，该电路兼顾推挽的效率优势与差分结构的线性优势，有效的兼顾了电路的效率与线性度，在输入端可以连接有源分相器进一步改善电路的线性度，该电路结构简单，易于实现。
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