公开(公告)号：CN106200017A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610727363.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 陆卫兵 ,  张金 ,  黄保虎 ,  刘震国

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025

Abstract: 本发明公开了一种基于超薄金属纳米粒子的超紧凑石墨烯电光调制器，属于集成光子器件技术领域，包括石墨烯层、三氧化二铝层、硅波导层和绝缘介质层，在绝缘介质层上设置硅波导层，在硅波导层上设置三氧化二铝层，在三氧化二铝层上设置覆盖金属结构的石墨烯层；石墨烯层包括单层石墨烯层和金属结构层，单层石墨烯层铺在金属结构层下面。本发明基于红外波段石墨烯电可调特性以及金属片的局域等离子谐振特性并利用了薄层金属的趋肤效应带来的耦合、损耗增强效应实现光波的快速宽带调制，不仅工艺CMOS兼容、具备25fJ/bit以内的超低能耗、2THz以上的调制带宽，有望用于海量数据传输、大型数据中心、高速片上/片间通信、物联网、云计算等领域。

公开(公告)号：CN210427998U

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201921306426.4

申请日：2019-08-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 陆卫兵 ,  黄保虎 ,  刘震国 ,  张金

IPC: G02F1/025

Abstract: 本实用新型公开了一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，属于集成光子器件技术领域，包括SOI衬底，以及在其上刻蚀的硅波导层、低折射率介质包层、单层石墨烯层、夹在单层石墨烯与硅波导之间的绝缘介质层以及金属纳米天线阵列层；单层石墨烯外接金属作为顶电极，薄层外延硅外接金属构成底电极；石墨烯层可在纳米天线阵列顶上也可在其与绝缘介质层之间。本实用新型基于红外波段石墨烯电可调特性以及金属纳米天线的局域电磁场谐振增强的特性实现了石墨烯与光的耦合增强，有望用于大型数据中心、物联网、云计算等领域。