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公开(公告)号：CN112904477A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110243482.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器，由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功分部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功分部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖。本发明能够实现偏振不敏感的功能，并且大大降低光功分器的插入损耗，提高器件工作带宽，缩短器件的尺寸，降低器件的制造难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904477B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110243482.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器，由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功分部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功分部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖。本发明能够实现偏振不敏感的功能，并且大大降低光功分器的插入损耗，提高器件工作带宽，缩短器件的尺寸，降低器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN109270627A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811442813.0
申请日：2018-11-29
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于多模亚波长光栅的偏振不敏感定向耦合器，该耦合器由下至上依次为掩埋氧化层、耦合器部件和上包层，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，耦合器部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖；其中，所述耦合器部件包括下路输入通道、下路左直角梯形通道、下路窄直通通道、下路右直角梯形通道、下路直通通道、上路直通通道、上路左直角梯形通道、上路窄直通通道、上路右直角梯形通道、上路输出通道、输入端锥形亚波长光栅结构、亚波长光栅结构、输出端锥形亚波长光栅结构。本发明定向耦合器具有低插入损耗、低反射损耗、高消光比、中带宽、制造容差较大且结构紧凑的优点。
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公开(公告)号：CN109270627B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811442813.0
申请日：2018-11-29
Applicant: 东南大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于多模亚波长光栅的偏振不敏感定向耦合器，该耦合器由下至上依次为掩埋氧化层、耦合器部件和上包层，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，耦合器部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖；其中，所述耦合器部件包括下路输入通道、下路左直角梯形通道、下路窄直通通道、下路右直角梯形通道、下路直通通道、上路直通通道、上路左直角梯形通道、上路窄直通通道、上路右直角梯形通道、上路输出通道、输入端锥形亚波长光栅结构、亚波长光栅结构、输出端锥形亚波长光栅结构。本发明定向耦合器具有低插入损耗、低反射损耗、高消光比、中带宽、制造容差较大且结构紧凑的优点。
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