公开(公告)号：CN102634755B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210110473.8

申请日：2012-04-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张旭海 ,  李晓雪 ,  蒋建清 ,  谈荣生 ,  谈舒泳 ,  吴湘君 ,  张娟 ,  方峰 ,  周雪峰 ,  曾宇乔

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种致密氮化物陶瓷涂层及其制备方法，按先对机械零件的待处理表面进行清洁；再通过反应沉积法制备氮化物涂层，反应沉积法制备氮化物涂层的过程中，偏压在高偏压和低偏压之间交替变化。所述的氮化物陶瓷涂层的具有1700Hv-2600Hv的较高的硬度和0.1GPa-1GPa的较低的应力，晶粒比例为0-0.5，晶粒尺寸约在10nm-200nm。本发明的涂层沉积工艺简单、沉积速率高，应力低。

公开(公告)号：CN102634755A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210110473.8

申请日：2012-04-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张旭海 ,  李晓雪 ,  蒋建清 ,  谈荣生 ,  谈舒泳 ,  吴湘君 ,  张娟 ,  方峰 ,  周雪峰 ,  曾宇乔

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种致密氮化物陶瓷涂层及其制备方法，按先对机械零件的待处理表面进行清洁；再通过反应沉积法制备氮化物涂层，反应沉积法制备氮化物涂层的过程中，偏压在高偏压和低偏压之间交替变化。所述的氮化物陶瓷涂层的具有1700Hv-2600Hv的较高的硬度和0.1GPa-1GPa的较低的应力，晶粒比例为0-0.5，晶粒尺寸约在10nm-200nm。本发明的涂层沉积工艺简单、沉积速率高，应力低。