公开(公告)号：CN116815113B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310798653.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 沈宝龙 ,  匡娟 ,  莫寰宇 ,  王倩倩

IPC: C23C10/52

Abstract: 本发明公开了一种钇改性难熔高熵硅化物涂层及其制备方法，本发明钇改性难熔高熵硅化物涂层具有1450℃优异抗氧化性能与2100℃超高温抗烧蚀性能，制备方法包括如下步骤：(1)配制渗剂：所述渗剂由如下质量百分比的组分组成：25～35％Si粉、2～8％Y2O3粉、3～5％NaF粉以及Al2O3粉余量；(2)将NbMoTaW难熔高熵合金基体埋入装有渗剂的坩埚中并压实，将坩埚加盖并密封，NbMoTaW难熔高熵合金基体在惰性气氛中于900～1200℃下进行包埋渗硅处理，处理时间为3～24h；在NbMoTaW难熔高熵合金表面得到钇改性难熔高熵硅化物(NbMoTaW)Si2涂层。

公开(公告)号：CN116815113A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310798653.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 沈宝龙 ,  匡娟 ,  莫寰宇 ,  王倩倩

IPC: C23C10/52

Abstract: 本发明公开了一种钇改性难熔高熵硅化物涂层及其制备方法，本发明钇改性难熔高熵硅化物涂层具有1450℃优异抗氧化性能与2100℃超高温抗烧蚀性能，制备方法包括如下步骤：(1)配制渗剂：所述渗剂由如下质量百分比的组分组成：25～35％Si粉、2～8％Y2O3粉、3～5％NaF粉以及Al2O3粉余量；(2)将NbMoTaW难熔高熵合金基体埋入装有渗剂的坩埚中并压实，将坩埚加盖并密封，NbMoTaW难熔高熵合金基体在惰性气氛中于900～1200℃下进行包埋渗硅处理，处理时间为3～24h；在NbMoTaW难熔高熵合金表面得到钇改性难熔高熵硅化物(NbMoTaW)Si2涂层。